NP4409SR 30V p通道增强模式MOSFET
描述
np4409sr采用先进的沟槽技术
设计为低栅极提供优良的rds(on)
电荷。可用于负载开关和电池
保护应用程序。
一般特征
vds = -30v, id = -15a
rds(上)(typ) = 5.5ω@vgs = -10 v
rds(上)(typ) = 8.3ω@vgs = -4.5 v
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
应用程序
电池保护
load 开关
包
sop-8
订购信息
绝对最大额定值(除非另有说明，ta=25℃)
电特性(除非另有说明，ta=25℃)
热特性
答:r qja是用设备安装在1in 2 fr-4单板上2oz测量的。铜，在静止的空气环境中
t = 25°c。在任何给定的应用程序中的值取决于用户的特定板设计。目前的评级是基于
t≤10s热阻额定值。
b: r qja是从结到引线r qjl和引线到环境的热阻抗之和。
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t = 25°c。在任何给定的应用程序中的值取决于用户的特定板设计。目前的评级是基于
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b: r qja是从结到引线r qjl和引线到环境的热阻抗之和。
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