了解整个TFT-LCD open cell的制程
文章主要介绍tft-lcd open cell制程，tft-lcd open cell制程一般分为前段、中段和后段制程，前段制程主要是进行tft玻璃的制作；中段制程主要指将tft玻璃与彩色滤光片贴合；后段制程指驱动ic、印刷电路板和液晶板的压合。笔者认为，只有了解整个tft-lcd open cell的制程才能更好的进行tv背光系统、主板甚至整个tv的设计。
一、tft-lcd open cell 制程简述
tft-lcd open cell制程一般分为前段、中段和后段制程，前段制程主要是进行tft玻璃的制作，这与半导体制程非常相似；中段制程主要指将tft玻璃与彩色滤光片贴合，并加上上下偏光板；后段制程指将驱动ic和印刷电路板压合至tft玻璃，并完成我们所熟知的open cell。
二、tft-lcd open cell前段制程
tft-lcd open cell前段制程与半导体制程非常相似，主要分成四个步骤：
1.利用沉淀形成gate metal。首先在玻璃基板上涂布一层金属，然后涂上光阻胶，最后通过暴光、显影、蚀刻和除胶而形成gate metal。涂布的金属材料主要成分为：钛（ti）、铝（al）、钼（mo）和铬（cr）以及其混合物。
2.沉淀si3n4（氮化硅）、a-si（非晶硅）和n+a-si（n型硅）。首先利用pecvd ( plasma enhanced chemical vapor deposition ) 技术分别涂布一层si3n4、n+a-si和a-si，然后在n+a-si和a-si上涂布光阻胶，通过暴光、显影、蚀刻和除胶而形成所需形状。pecvd指的是等离子体增强化学气相沉积法，原理是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉淀出所期望的薄膜。 si3n4、n+a-si和a-si三种材料充当的角色分别为：gate端和液晶存储电容的电解质、n型半导体和p型半导体。
3.形成source metal和drain metal。首先在a-si上涂布一层金属材料来作为source metal和drain metal，然后在金属材料上涂布光阻胶并通过暴光、显影、蚀刻和除胶而形成所需形状。source metal和drain metal主要成分为：钛（ti）、铝（al）、钼（mo）和铬（cr），这与gate metal相同。
4.沉淀si3n4和ito（indium tin oxides），ito氧化铟锡是一种透明导电薄膜。首先利用pecvd技术沉淀一层si3n4，然后再涂布一层ito，至此整个tft玻璃就完成了也就是说tft-lcd open cell前段制程已经完成，其架构如图4所示，其中gate metal连接至gate ic，source metal连接至data ic。
三、tft-lcd open cell 中段制程
tft-lcd 架构就如三明治，下层tft玻璃与上层彩色滤光片中间夹着液晶。而tft-lcd open cell中段制程也分为四个主要步骤：
1.下层tft玻璃压合前处理。首先使用离子水洗净前段的tft 玻璃，然后在tft玻璃表面上涂布一层有机高分子配向膜，再通过辗压形成所谓的pi配向膜，其主要作用是为液晶分子制作一条专用的、有固定角度的通道来控制其在电压作用下的旋转方向和角度。然后在tft玻璃上涂布长方形的密封胶，以利于tft玻璃与彩色滤光片的粘合以及防止液晶外漏,而这个长方形将会是该open cell的可视区，最后在胶框内注入液晶。
2.上层彩色滤光片压合前处理。首先，在彩色滤光片基板上涂布有机高分子材料，再通过辗压形成配向膜。然后在彩色滤光片中喷洒spacer，以保证彩色滤光片与tft基板的空隙。
3.将tft玻璃基板和彩色滤光片进行压合，并在压合处边框部分涂上导电胶，以保证外部电子能进入液晶层。压合后由上向下的顺序为：彩色滤光片、配向膜、液晶、配向膜和tft玻璃。
4.将压合后的液晶板按照设定好的尺寸进行切割，然后在切割好的液晶板上下分别贴上水平偏光板和垂直偏光板。至此，整个tft-lcd open cell的中段制程已经完成。
四、tft-lcd open cell后段制程
tft-lcd open cell后段制程主要指的是将驱动ic和pcb压合至液晶板上，这个制程主要由三个步骤组成：
1.acf( anisotropic conductive film)的涂布。在液晶板需要压合驱动ic的地方涂布acf，acf又称异方性导电胶膜，特点是上下方向导电，左右方向不导电，主要作用是连通驱动ic与液晶面板。
2.驱动ic的压合。将驱动ic压合至已经涂布acf的液晶板上，也就是液晶制程中经常所说的bonding。驱动ic一般为cof(chip on fpc)材料,并分为gate ic和date ic，其中gate ic连接到前文所说的tft玻璃gate端，控制tft的开关；date ic连接至tft玻璃的source端，对液晶电容充电从而控制液晶两端电压。
3.pcb的压合。将pcb压合至液晶板的date ic端，那么pcb上的ic就可以直接控制date ic并且可以通过date ic将信号传送至gate ic从而控制gate ic。至此整个tft-lcd open cell制程已经完成，并制作出我们所熟知的open cell。
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一、tft-lcd open cell 制程简述
tft-lcd open cell制程一般分为前段、中段和后段制程，前段制程主要是进行tft玻璃的制作，这与半导体制程非常相似；中段制程主要指将tft玻璃与彩色滤光片贴合，并加上上下偏光板；后段制程指将驱动ic和印刷电路板压合至tft玻璃，并完成我们所熟知的open cell。
二、tft-lcd open cell前段制程
tft-lcd open cell前段制程与半导体制程非常相似，主要分成四个步骤：
1.利用沉淀形成gate metal。首先在玻璃基板上涂布一层金属，然后涂上光阻胶，最后通过暴光、显影、蚀刻和除胶而形成gate metal。涂布的金属材料主要成分为：钛（ti）、铝（al）、钼（mo）和铬（cr）以及其混合物。
2.沉淀si3n4（氮化硅）、a-si（非晶硅）和n+a-si（n型硅）。首先利用pecvd ( plasma enhanced chemical vapor deposition ) 技术分别涂布一层si3n4、n+a-si和a-si，然后在n+a-si和a-si上涂布光阻胶，通过暴光、显影、蚀刻和除胶而形成所需形状。pecvd指的是等离子体增强化学气相沉积法，原理是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉淀出所期望的薄膜。 si3n4、n+a-si和a-si三种材料充当的角色分别为：gate端和液晶存储电容的电解质、n型半导体和p型半导体。
3.形成source metal和drain metal。首先在a-si上涂布一层金属材料来作为source metal和drain metal，然后在金属材料上涂布光阻胶并通过暴光、显影、蚀刻和除胶而形成所需形状。source metal和drain metal主要成分为：钛（ti）、铝（al）、钼（mo）和铬（cr），这与gate metal相同。
4.沉淀si3n4和ito（indium tin oxides），ito氧化铟锡是一种透明导电薄膜。首先利用pecvd技术沉淀一层si3n4，然后再涂布一层ito，至此整个tft玻璃就完成了也就是说tft-lcd open cell前段制程已经完成，其架构如图4所示，其中gate metal连接至gate ic，source metal连接至data ic。
三、tft-lcd open cell 中段制程
tft-lcd 架构就如三明治，下层tft玻璃与上层彩色滤光片中间夹着液晶。而tft-lcd open cell中段制程也分为四个主要步骤：
1.下层tft玻璃压合前处理。首先使用离子水洗净前段的tft 玻璃，然后在tft玻璃表面上涂布一层有机高分子配向膜，再通过辗压形成所谓的pi配向膜，其主要作用是为液晶分子制作一条专用的、有固定角度的通道来控制其在电压作用下的旋转方向和角度。然后在tft玻璃上涂布长方形的密封胶，以利于tft玻璃与彩色滤光片的粘合以及防止液晶外漏,而这个长方形将会是该open cell的可视区，最后在胶框内注入液晶。
2.上层彩色滤光片压合前处理。首先，在彩色滤光片基板上涂布有机高分子材料，再通过辗压形成配向膜。然后在彩色滤光片中喷洒spacer，以保证彩色滤光片与tft基板的空隙。
3.将tft玻璃基板和彩色滤光片进行压合，并在压合处边框部分涂上导电胶，以保证外部电子能进入液晶层。压合后由上向下的顺序为：彩色滤光片、配向膜、液晶、配向膜和tft玻璃。
4.将压合后的液晶板按照设定好的尺寸进行切割，然后在切割好的液晶板上下分别贴上水平偏光板和垂直偏光板。至此，整个tft-lcd open cell的中段制程已经完成。
四、tft-lcd open cell后段制程
tft-lcd open cell后段制程主要指的是将驱动ic和pcb压合至液晶板上，这个制程主要由三个步骤组成：
1.acf( anisotropic conductive film)的涂布。在液晶板需要压合驱动ic的地方涂布acf，acf又称异方性导电胶膜，特点是上下方向导电，左右方向不导电，主要作用是连通驱动ic与液晶面板。
2.驱动ic的压合。将驱动ic压合至已经涂布acf的液晶板上，也就是液晶制程中经常所说的bonding。驱动ic一般为cof(chip on fpc)材料,并分为gate ic和date ic，其中gate ic连接到前文所说的tft玻璃gate端，控制tft的开关；date ic连接至tft玻璃的source端，对液晶电容充电从而控制液晶两端电压。
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