国内首款低功耗超宽电压FM24LN系列I2C串行EEPROM存储器
上海复旦微电子集团股份有限公司今日举办线上发布会，推出fm25/fm29系列slc nand，fm24n/fm24ln/fm25n高可靠、超宽压系列eeprom，以及符合aec-q100的车规fm24c/fm25系列eeprom等非挥发存储新产品。
fm25/fm29系列产品基于28nm先进nand flash工艺，满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求，应用于工规、5g通讯、车载等相关领域。fm24n/fm24ln/fm25n系列产品基于95nm先进eeprom工艺，具备低功耗、超宽电压、高可靠等特性，其中擦写寿命大于400万次、数据保持时间大于200年，产品性能及可靠性达到业界领先水平，应用于ccm、白电、工控、仪表、医疗、5g通讯、车载等相关领域。其中fm24c/fm25系列车规产品已通过aec-q100 grade 1车规级验证。
fm25/fm29系列slc nand存储器
发布会现场，复旦微电产品经理肖磊介绍，fm25/fm29系列是目前国内外首款单芯片同时支持双接口（spi/ppi）双电源（1.8/3.3）的 slc nand flash，产品开发团队针对28nm先进工艺平台特性，优化编擦、擦除、回读算法，采用内部8bit bch ecc设计，兼顾成本、性能和可靠性，满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求。spi系列（fm25）容量覆盖512mb~4gb，温度覆盖-40℃~+105℃。ppi系列为（fm29）容量覆盖2gb~8gb，温度覆盖-40℃~+105℃。
fm25s系列产品特点：
存储器容量：512mb~4gbit
工作电压范围1.8v/3.3v；
工作温度范围-40℃~+85℃ 以及-40℃~+105℃扩展级；
spi高速单/双/四口：104mhz(3.3v) / 85mhz(1.8v)
支持内置8 bit ecc，满足客户error-free 需求
高可靠性：
endurance：6万擦写次数
data retention：10年
封装支持tdfn5x6/tdfn6x8等多种封装形式。
fm29f系列产品特点：
存储器容量：2gb~8g bit
工作电压范围1.8v/3.3v；
工作温度范围-40℃~+85℃ 以及-40℃~+105℃扩展级；
兼容onfi 1.0标准：50mhz(3.3v) / 33mhz(1.8v)
支持内置8 bit ecc，满足客户error-free 需求
高可靠性：
endurance：6万擦写次数
data retention：10年
封装支持bga63/tsop48等多种封装形式。
下一阶段，复旦微电slc nand flash存储器全系列产品将覆盖512mbit~16gbit容量， 其中2/4 gbit spi nand flash容量新品最高工作频率将扩展到120mhz(3.3v)/95mhz(1.8v)的high speed模式，16gbit ppi nand支持ddr高速接口，可满足客户更快读写访问速度需求。同时，全系产品会继续提升耐写性指标，满足客户高工规的应用。
fm24/fm25系列串行eeprom存储器
本次复旦微电推出国内首款低功耗超宽电压fm24ln系列i2c串行eeprom存储器、fm24n/25n宽电压高可靠i2c/spi串行eeprom，以及fm24c/fm25车规eeprom三个系列的新产品。复旦微电产品经理周泉介绍道，产品开发团队针对流片工艺平台的特性，以及对存储器产品工作原理的深刻理解，对eeprom存储器读写电路进行了特别的优化设计，大幅度提升了产品的性能及可靠性，为客户提供了更多的产品选择，可以满足ccm、白电、工控、仪表、医疗、5g通讯、车载等各种应用领域需求。fm24c/fm25系列车规产品已通过权威第三方测试认证机构——工业和信息化部电子第五研究所aec-q100 grade 1车规级验证，产品工作温度扩展至-40℃~+125℃。
fm24ln系列首发包含32k/64k/128kbit三种容量的i2c串行eeprom，产品支持1.1v~5.5v超宽工作电压范围，温度覆盖工规-40℃~+85℃，全电压范围内均支持400khz/1mhz工作频率，5.5v下典型待机电流小于1ua，读写电流不超过0.8ma，产品满足擦写寿命≥400万次、数据保持时间≥100年的高可靠性要求，支持wlcsp-4ball、sop8、tssop8、tdfn8等多种封装形式。
fm24n系列首发包含64k/128k/256k/512kbit四种容量的i2c串行eeprom，产品支持1.7v~5.5v宽工作电压范围，温度覆盖工规-40℃~+85℃以及工规扩展温度-40℃~+125℃，支持400khz/1mhz/3.4mhz工作频率，写电流≤2ma，读电流≤0.6ma，产品满足擦写寿命≥400万次、数据保持时间≥200年的高可靠性要求，支持sop8、tssop8、tdfn8等多种封装形式。
fm25n系列首发包含64k/128k/256k/512kbit四款容量，产品支持1.7v~5.5v宽工作电压范围，温度覆盖工规-40℃~+85℃以及工规扩展温度-40℃~+125℃，支持5m(vcc≥1.7v);10m(vcc≥2.5v);20m(vcc≥4.5v)工作频率，写电流≤2ma，读电流≤5ma@5.5v/20mhz，产品满足擦写寿命≥400万次、数据保持时间≥200年的高可靠性要求，支持sop8、tssop8、tdfn8等多种封装形式。
fm24cxxx系列车规产品首发包含128k/256k/512kbit三款容量产品，产品通过了严苛的aec-q100 grade1认证，产品支持1.7v~5.5v超宽工作电压范围，工作温度范围-40℃~+125℃，支持400khz/1mhz工作频率，写电流≤3ma，读电流≤1ma，产品满足擦写寿命≥100万次、数据保持时间≥40年的高可靠性要求，支持sop8、tssop8、tdfn8等多种封装形式，产品湿敏等级为msl1。
fm25xxx系列车规产品首发包含64k/512kbit两款容量产品，产品通过了严苛的aec-q100 grade1认证，产品支持1.8v~5.5v超宽工作电压范围，工作温度范围-40℃~+125℃，最高支持20mhz工作频率，写电流≤3ma，读电流≤5ma，产品满足擦写寿命≥100万次、数据保持时间≥40年的高可靠性要求，支持sop8、tssop8、tdfn8等多种封装形式，产品湿敏等级为msl1。
fm24ln32/64/128产品特点：
存储器容量：32k/64k/128kbit；
工作电压范围1.1v~5.5v；
工作温度范围-40℃~+85℃；
全电压范围内兼容400khz/1mhz时钟；
串行接口符合i2c规范；
io电压与芯片vcc相同，同时兼容1.2v/1.8v/3.3v/5v等主流电压应用。
具有软件保护功能（swp）；
具备器件地址可配置功能，支持i2c总线上最多挂8颗eeprom；
输入脚经施密特触发器滤波抑制噪声；
具有字节写、页写、当前地址读、自由读、顺序读等操作模式；
擦写时间内部定时（max 5ms）；
128 bit 由厂家编写的、只读的唯一标识码，方便产品溯源。
额外的一页security sector安全区，用户可读写，可锁成只读。(客户可以把版本、物料、厂商代码等关键信息写入，方便产品管控及溯源)
高可靠性：
endurance：400万擦写次数
data retention：100年
封装支持sop8/tdfn/tssop/wlcsp等封装，其中wlcsp封装支持400um*400um及400um*500um ball pitch两种规格。
fm24n64/128/256/512产品特点：
存储器容量：64k/128k/256k/512kbit；
工作电压范围1.7v~5.5v；
工作温度范围-40℃~+85℃/-40℃~+125℃(扩展)；
支持400khz/1mhz/3.4mhz时钟频率；
串行接口符合i2c规范；
内置ecc纠错逻辑；
支持硬件保护功能；
总线上最多支持8颗eeprom寻址；
输入脚经施密特触发器滤波抑制噪声；
具有字节写、页写、当前地址读、自由读、顺序读等操作模式；
擦写时间内部定时（max 5ms）；
128 bit 由厂家编写的、只读的唯一标识码，方便产品溯源。
额外的一页security sector安全区，用户可读写，可锁成只读。(客户可以把版本、物料、厂商代码等关键信息写入，方便产品管控及溯源)
高可靠性：
endurance：400万擦写次数
data retention：200年
封装支持sop8/tdfn/tssop等封装。
fm25n64/128/256/512产品特点：
存储器容量：64k/128k/256k/512kbit；
工作电压范围1.7v~5.5v；
工作温度范围-40℃~+85℃/-40℃~+125℃(扩展)；
工作频率5m(vcc≥1.7v);10m(vcc≥2.5v);20m(vcc≥4.5v)；
支持spi mode 0 (0,0)及mode 3 (1,1)；
内置ecc纠错逻辑；
支持1/4空间、1/2空间、全空间写保护；
支持软、硬件写保护功能；
支持字节页及页写模式；
擦写时间内部定时（max 5ms）；
128 bit 由厂家编写的、只读的唯一标识码，方便产品溯源。
额外的一页security sector安全区，用户可读写，可锁成只读。(客户可以把版本、物料、厂商代码等关键信息写入，方便产品管控及溯源)
高可靠性：
endurance：400万擦写次数
data retention：200年
封装支持sop8/tdfn/tssop等封装。
fm24c128ea1/fm24c256ea1/fm24c512da1车规产品特点：
存储器容量：128k/256k/512kbit；
符合aec-q100 grade1；
工作电压范围1.7v~5.5v；
工作温度范围-40℃~+125℃；
支持400khz/1mhz时钟频率；
串行接口符合i2c规范；
支持硬件保护功能；
总线上最多支持8颗eeprom寻址；
输入脚经施密特触发器滤波抑制噪声；
具有字节写、页写、当前地址读、自由读、顺序读等操作模式；
擦写时间内部定时（max 5ms）；
128 bit 由厂家编写的、只读的唯一标识码，方便产品溯源。
额外的一页security sector安全区，用户可读写，可锁成只读。(客户可以把版本、物料、厂商代码等关键信息写入，方便产品管控及溯源)
高可靠性：
endurance：100万擦写次数
data retention：40年
封装支持sop8/tdfn/tssop等封装，湿敏等级：msl1。
fm25640a1/fm25512a1产品特点：
存储器容量：64k/512kbit；
符合aec-q100 grade1；
工作电压范围1.8v~5.5v；
工作温度范围-40℃~+125℃；
工作频率最高支持20mhz(fm25640a1)、16mhz(fm25512a1)；
支持spi mode 0 (0,0)及mode 3 (1,1)；
支持1/4空间、1/2空间、全空间写保护；
支持软、硬件写保护功能；
支持字节页及页写模式；
擦写时间内部定时（max 5ms）；
128 bit 由厂家编写的、只读的唯一标识码，方便产品溯源。
额外的一页security sector安全区，用户可读写，可锁成只读。(客户可以把版本、物料、厂商代码等关键信息写入，方便产品管控及溯源)
高可靠性：
endurance：100万擦写次数
data retention：40年
封装支持sop8/tdfn/tssop等封装。
下一阶段，复旦微电全新fm24ln、fm24n系列eeprom存储器全系列产品将覆盖64kbit~2mbit容量，fm25n将补全64kbit~4mbit全系列容量。其中fm24n全系列新品最高工作频率将扩展到i2c总线规范的3.4mhz的high speed（hs mode）模式，可满足客户更快读写访问速度需求。i2c、spi接口eeprom的全系列容量产品计划于年内完成aec-q100 grade1车规级验证，本次发布eeprom新品将陆续启动量产。
发布会最后，工业和信息化部电子第五研究所汽车电子行业经理王健分享了题为《车规“芯”形式下的质量保障》的主题演讲。王健表示，近几年来车规芯片快速发展，五所与客户开发并应用“5a+ca关键分析评价”质量工程体系，在研制转批量生产前有效识别、定位、改善解决潜在的设计、材料、结构、工艺等缺陷，提升成品率、可靠性、稳定性和一致性，提升企业品牌和竞争力。五所在与复旦微电的合作中，对存储芯片、mcu、安全与识别等一系列产品开展车规测试认证服务合作。未来，五所将持续和复旦微携手并进，砥砺前行。
基于本次发布的系列新品，复旦微电子还推出全系列车规级nand/nor flash及eeprom存储器，产品符合aec-q100 grade1/grade2需求。公司将持续在非易失存储器领域以新工艺节点、低压或宽压、高速、高可靠性（拓展工规、车规等）为发展方向，进一步尝试并拓展系统级存储器产品防线，不断获得突破和领先优势。
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fm25/fm29系列产品基于28nm先进nand flash工艺，满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求，应用于工规、5g通讯、车载等相关领域。fm24n/fm24ln/fm25n系列产品基于95nm先进eeprom工艺，具备低功耗、超宽电压、高可靠等特性，其中擦写寿命大于400万次、数据保持时间大于200年，产品性能及可靠性达到业界领先水平，应用于ccm、白电、工控、仪表、医疗、5g通讯、车载等相关领域。其中fm24c/fm25系列车规产品已通过aec-q100 grade 1车规级验证。
fm25/fm29系列slc nand存储器
发布会现场，复旦微电产品经理肖磊介绍，fm25/fm29系列是目前国内外首款单芯片同时支持双接口（spi/ppi）双电源（1.8/3.3）的 slc nand flash，产品开发团队针对28nm先进工艺平台特性，优化编擦、擦除、回读算法，采用内部8bit bch ecc设计，兼顾成本、性能和可靠性，满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求。spi系列（fm25）容量覆盖512mb~4gb，温度覆盖-40℃~+105℃。ppi系列为（fm29）容量覆盖2gb~8gb，温度覆盖-40℃~+105℃。
fm25s系列产品特点：
存储器容量：512mb~4gbit
工作电压范围1.8v/3.3v；
工作温度范围-40℃~+85℃ 以及-40℃~+105℃扩展级；
spi高速单/双/四口：104mhz(3.3v) / 85mhz(1.8v)
支持内置8 bit ecc，满足客户error-free 需求
高可靠性：
endurance：6万擦写次数
data retention：10年
封装支持tdfn5x6/tdfn6x8等多种封装形式。
fm29f系列产品特点：
存储器容量：2gb~8g bit
工作电压范围1.8v/3.3v；
工作温度范围-40℃~+85℃ 以及-40℃~+105℃扩展级；
兼容onfi 1.0标准：50mhz(3.3v) / 33mhz(1.8v)
支持内置8 bit ecc，满足客户error-free 需求
高可靠性：
endurance：6万擦写次数
data retention：10年
封装支持bga63/tsop48等多种封装形式。
下一阶段，复旦微电slc nand flash存储器全系列产品将覆盖512mbit~16gbit容量， 其中2/4 gbit spi nand flash容量新品最高工作频率将扩展到120mhz(3.3v)/95mhz(1.8v)的high speed模式，16gbit ppi nand支持ddr高速接口，可满足客户更快读写访问速度需求。同时，全系产品会继续提升耐写性指标，满足客户高工规的应用。
fm24/fm25系列串行eeprom存储器
本次复旦微电推出国内首款低功耗超宽电压fm24ln系列i2c串行eeprom存储器、fm24n/25n宽电压高可靠i2c/spi串行eeprom，以及fm24c/fm25车规eeprom三个系列的新产品。复旦微电产品经理周泉介绍道，产品开发团队针对流片工艺平台的特性，以及对存储器产品工作原理的深刻理解，对eeprom存储器读写电路进行了特别的优化设计，大幅度提升了产品的性能及可靠性，为客户提供了更多的产品选择，可以满足ccm、白电、工控、仪表、医疗、5g通讯、车载等各种应用领域需求。fm24c/fm25系列车规产品已通过权威第三方测试认证机构——工业和信息化部电子第五研究所aec-q100 grade 1车规级验证，产品工作温度扩展至-40℃~+125℃。
fm24ln系列首发包含32k/64k/128kbit三种容量的i2c串行eeprom，产品支持1.1v~5.5v超宽工作电压范围，温度覆盖工规-40℃~+85℃，全电压范围内均支持400khz/1mhz工作频率，5.5v下典型待机电流小于1ua，读写电流不超过0.8ma，产品满足擦写寿命≥400万次、数据保持时间≥100年的高可靠性要求，支持wlcsp-4ball、sop8、tssop8、tdfn8等多种封装形式。
fm24n系列首发包含64k/128k/256k/512kbit四种容量的i2c串行eeprom，产品支持1.7v~5.5v宽工作电压范围，温度覆盖工规-40℃~+85℃以及工规扩展温度-40℃~+125℃，支持400khz/1mhz/3.4mhz工作频率，写电流≤2ma，读电流≤0.6ma，产品满足擦写寿命≥400万次、数据保持时间≥200年的高可靠性要求，支持sop8、tssop8、tdfn8等多种封装形式。
fm25n系列首发包含64k/128k/256k/512kbit四款容量，产品支持1.7v~5.5v宽工作电压范围，温度覆盖工规-40℃~+85℃以及工规扩展温度-40℃~+125℃，支持5m(vcc≥1.7v);10m(vcc≥2.5v);20m(vcc≥4.5v)工作频率，写电流≤2ma，读电流≤5ma@5.5v/20mhz，产品满足擦写寿命≥400万次、数据保持时间≥200年的高可靠性要求，支持sop8、tssop8、tdfn8等多种封装形式。
fm24cxxx系列车规产品首发包含128k/256k/512kbit三款容量产品，产品通过了严苛的aec-q100 grade1认证，产品支持1.7v~5.5v超宽工作电压范围，工作温度范围-40℃~+125℃，支持400khz/1mhz工作频率，写电流≤3ma，读电流≤1ma，产品满足擦写寿命≥100万次、数据保持时间≥40年的高可靠性要求，支持sop8、tssop8、tdfn8等多种封装形式，产品湿敏等级为msl1。
fm25xxx系列车规产品首发包含64k/512kbit两款容量产品，产品通过了严苛的aec-q100 grade1认证，产品支持1.8v~5.5v超宽工作电压范围，工作温度范围-40℃~+125℃，最高支持20mhz工作频率，写电流≤3ma，读电流≤5ma，产品满足擦写寿命≥100万次、数据保持时间≥40年的高可靠性要求，支持sop8、tssop8、tdfn8等多种封装形式，产品湿敏等级为msl1。
fm24ln32/64/128产品特点：
存储器容量：32k/64k/128kbit；
工作电压范围1.1v~5.5v；
工作温度范围-40℃~+85℃；
全电压范围内兼容400khz/1mhz时钟；
串行接口符合i2c规范；
io电压与芯片vcc相同，同时兼容1.2v/1.8v/3.3v/5v等主流电压应用。
具有软件保护功能（swp）；
具备器件地址可配置功能，支持i2c总线上最多挂8颗eeprom；
输入脚经施密特触发器滤波抑制噪声；
具有字节写、页写、当前地址读、自由读、顺序读等操作模式；
擦写时间内部定时（max 5ms）；
128 bit 由厂家编写的、只读的唯一标识码，方便产品溯源。
额外的一页security sector安全区，用户可读写，可锁成只读。(客户可以把版本、物料、厂商代码等关键信息写入，方便产品管控及溯源)
高可靠性：
endurance：400万擦写次数
data retention：100年
封装支持sop8/tdfn/tssop/wlcsp等封装，其中wlcsp封装支持400um*400um及400um*500um ball pitch两种规格。
fm24n64/128/256/512产品特点：
存储器容量：64k/128k/256k/512kbit；
工作电压范围1.7v~5.5v；
工作温度范围-40℃~+85℃/-40℃~+125℃(扩展)；
支持400khz/1mhz/3.4mhz时钟频率；
串行接口符合i2c规范；
内置ecc纠错逻辑；
支持硬件保护功能；
总线上最多支持8颗eeprom寻址；
输入脚经施密特触发器滤波抑制噪声；
具有字节写、页写、当前地址读、自由读、顺序读等操作模式；
擦写时间内部定时（max 5ms）；
128 bit 由厂家编写的、只读的唯一标识码，方便产品溯源。
额外的一页security sector安全区，用户可读写，可锁成只读。(客户可以把版本、物料、厂商代码等关键信息写入，方便产品管控及溯源)
高可靠性：
endurance：400万擦写次数
data retention：200年
封装支持sop8/tdfn/tssop等封装。
fm25n64/128/256/512产品特点：
存储器容量：64k/128k/256k/512kbit；
工作电压范围1.7v~5.5v；
工作温度范围-40℃~+85℃/-40℃~+125℃(扩展)；
工作频率5m(vcc≥1.7v);10m(vcc≥2.5v);20m(vcc≥4.5v)；
支持spi mode 0 (0,0)及mode 3 (1,1)；
内置ecc纠错逻辑；
支持1/4空间、1/2空间、全空间写保护；
支持软、硬件写保护功能；
支持字节页及页写模式；
擦写时间内部定时（max 5ms）；
128 bit 由厂家编写的、只读的唯一标识码，方便产品溯源。
额外的一页security sector安全区，用户可读写，可锁成只读。(客户可以把版本、物料、厂商代码等关键信息写入，方便产品管控及溯源)
高可靠性：
endurance：400万擦写次数
data retention：200年
封装支持sop8/tdfn/tssop等封装。
fm24c128ea1/fm24c256ea1/fm24c512da1车规产品特点：
存储器容量：128k/256k/512kbit；
符合aec-q100 grade1；
工作电压范围1.7v~5.5v；
工作温度范围-40℃~+125℃；
支持400khz/1mhz时钟频率；
串行接口符合i2c规范；
支持硬件保护功能；
总线上最多支持8颗eeprom寻址；
输入脚经施密特触发器滤波抑制噪声；
具有字节写、页写、当前地址读、自由读、顺序读等操作模式；
擦写时间内部定时（max 5ms）；
128 bit 由厂家编写的、只读的唯一标识码，方便产品溯源。
额外的一页security sector安全区，用户可读写，可锁成只读。(客户可以把版本、物料、厂商代码等关键信息写入，方便产品管控及溯源)
高可靠性：
endurance：100万擦写次数
data retention：40年
封装支持sop8/tdfn/tssop等封装，湿敏等级：msl1。
fm25640a1/fm25512a1产品特点：
存储器容量：64k/512kbit；
符合aec-q100 grade1；
工作电压范围1.8v~5.5v；
工作温度范围-40℃~+125℃；
工作频率最高支持20mhz(fm25640a1)、16mhz(fm25512a1)；
支持spi mode 0 (0,0)及mode 3 (1,1)；
支持1/4空间、1/2空间、全空间写保护；
支持软、硬件写保护功能；
支持字节页及页写模式；
擦写时间内部定时（max 5ms）；
128 bit 由厂家编写的、只读的唯一标识码，方便产品溯源。
额外的一页security sector安全区，用户可读写，可锁成只读。(客户可以把版本、物料、厂商代码等关键信息写入，方便产品管控及溯源)
高可靠性：
endurance：100万擦写次数
data retention：40年
封装支持sop8/tdfn/tssop等封装。
下一阶段，复旦微电全新fm24ln、fm24n系列eeprom存储器全系列产品将覆盖64kbit~2mbit容量，fm25n将补全64kbit~4mbit全系列容量。其中fm24n全系列新品最高工作频率将扩展到i2c总线规范的3.4mhz的high speed（hs mode）模式，可满足客户更快读写访问速度需求。i2c、spi接口eeprom的全系列容量产品计划于年内完成aec-q100 grade1车规级验证，本次发布eeprom新品将陆续启动量产。
发布会最后，工业和信息化部电子第五研究所汽车电子行业经理王健分享了题为《车规“芯”形式下的质量保障》的主题演讲。王健表示，近几年来车规芯片快速发展，五所与客户开发并应用“5a+ca关键分析评价”质量工程体系，在研制转批量生产前有效识别、定位、改善解决潜在的设计、材料、结构、工艺等缺陷，提升成品率、可靠性、稳定性和一致性，提升企业品牌和竞争力。五所在与复旦微电的合作中，对存储芯片、mcu、安全与识别等一系列产品开展车规测试认证服务合作。未来，五所将持续和复旦微携手并进，砥砺前行。
基于本次发布的系列新品，复旦微电子还推出全系列车规级nand/nor flash及eeprom存储器，产品符合aec-q100 grade1/grade2需求。公司将持续在非易失存储器领域以新工艺节点、低压或宽压、高速、高可靠性（拓展工规、车规等）为发展方向，进一步尝试并拓展系统级存储器产品防线，不断获得突破和领先优势。
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