MOS管的开关损耗计算
mos 管的开关损耗对mos 管的选型和热评估有着重要的作用，尤其是在高频电路中，比如开关电源，逆变电路等。
首先，我们来看下理想的mosfet 开关波形，如图figure 1, 以及对应的开关损耗常见的评估方法．
figure 1. v & i waveforms when switching an inductive load
交越时间tcross， vds 与 id 组成的阴影面积为导通时的能量损耗：
假设mosfet 开通和关断的交越时间均为tcross，那么我们可以得出一个完整开关周期的开关损耗如下：
我们把栅极驱动信号同步到图figure 1中， 如figure 2 所示，此时对应的交越时间为 t1 + t2。
figure ２. ideal waveforms at mosfet turn on
如果考虑源极的寄生电感，驱动电路如figure 3 所示．
figure 3. mosfet with **parasitic inductance
对t1 区间进行分析：
栅极电压以及寄生电感电压为：
由于t1 时间很短，所以我们可以近似用上管刚导通时的谷底电流io- δi/2 来替代dids。
栅极驱动电流：
t1 的时间计算：
mos 在 t1 区间对应的功率损耗：
对t２ 区间进行分析：
寄生电感电压为：
由于t2 时间很短，电感电流可以近似为不变，变化的是下管关断时下管输出电容充电电流icoss(ls)
栅极驱动电流：
t2 的时间计算：
mos 在 t2 区间对应的功率损耗:
那么开通时mos的开启损耗为：
类似的分析方法，根据mos 管的关断波形 figure 4，我们可以推导出对应的损耗：
figure ４. ideal waveforms at mosfet turn off
那么开通时mos的关断时损耗为：
那么mos 在一个完整开关周期的开关损耗为：
如果开通和关断时的交越时间相同，那么开关损耗就可以简化为如下：
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