基于TMS320F2812接口实现外部存储器扩展电路的设计
tms320f2812是德州仪器（ti）公司专门为工业应用而设计的新一代dsp处理器，它的性能大大优于当前广泛使用的tms320lf240x系列。该芯片为32位定点dsp，最高主频150 mhz，最小指令周期6.67 ns，外部采用低频时钟，通过片内锁相环倍频；相对于tms320lf2407只能寻址192 kb地址空间，该芯片的外部接口最多可寻址4 mb的空间；有3个独立的片选信号，并且读／写时序可编程，兼容不同速率的外设扩展；通过配置外部接口寄存器，在访问外部设备时不必额外增加延时等待，既提高了程序的实时性又减少了代码量。因此，灵活掌握和使用外部接口，对于dsp系统开发有很大帮助。本文结合实际系统，分析tms320f2812外部接口的时序，设计了外部存储器扩展电路，根据所用的存储器芯片设置了接口时序，并提供了相关的电路原理图和外部接口时序配置的程序。
1 、tms320f2812外部接口的特点
tms320f2812外部接口（xintf）采用异步非复用模式总线，与c240x外部接口类似，但也作了改进：
① tms320lf240x系列，程序空间、数据空间和i／o空间都映射在相同的地址（0000～ffff），最大可寻址192 kb，对它们的访问是通过不同的指令来区分的，例如可用in或out指令访问外部i／o空间；而在tms320f2812中，外部接口被映射到5个独立的存储空间xzcs0、xzcs1、xzcs2、xzcs6、xzcs7，每个存储空间具有独立的地址，最多可寻址4 mb。
② tms320f2812中，有的存储空间共用1个片选信号，如zone0和zone1共用xzcs0and1，zone6和zone7共用xzcs6and7。各空间均可独立设置读、写信号的建立时间、激活时间及保持时间。
对任何外部空间读／写操作的时序都可以分成3部分：建立、激活和保持，时序如图1和图2所示。在建立（lead）阶段，访问存储空间的片选信号变为低电平并且地址被送到地址总线（xa）上。默认情况下该阶段的时间设置为最大，为6个xtimclk周期。在激活（active）阶段，对外部设备进行读写，相应的读写信号（xrd和xwd）变为低电平，同时数据被送到数据总线（xd）上。默认情况下读写该阶段的时间均设置为14个xtimclk周期。跟踪（trail）阶段是指读写信号变为高电平，但片选信号仍保持低电平的一段时间周期，默认情况下该阶段时间设置为6个xtimclk周期。因此，在编程时要根据外部设备的接口时序来设置xintf的时序，从而正确地对外设读写。
2、 扩展存储器硬件设计
2.1 外部存储器与tms320f2812的接口电路设计
tms320f2812内置18 kb ram。为了使用方便，本系统又扩展了256 kb saram，芯片选用is61lv25616（256k×16位），其数据访问时间为10 ns。由于tms320f2812采用统一寻址方式，因此扩展的saram既可以作程序存储器也可以作数据存储器。同时，为了保存掉电不丢失的数据，扩展了32 kbeeprom，选用at28lv256，32k×8位，用2片组成32k×16位。外扩存储器与tms320f2812的接口电路如图3所示，将saram分配在zone2，地址范围为0x80000～0xbffff，片选信号与tms320f2812的xzcs2相连。eeprom分配在zone6，地址范围为0x10000～0x107fff，片选信号xzcs6and7。
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1 、tms320f2812外部接口的特点
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① tms320lf240x系列，程序空间、数据空间和i／o空间都映射在相同的地址（0000～ffff），最大可寻址192 kb，对它们的访问是通过不同的指令来区分的，例如可用in或out指令访问外部i／o空间；而在tms320f2812中，外部接口被映射到5个独立的存储空间xzcs0、xzcs1、xzcs2、xzcs6、xzcs7，每个存储空间具有独立的地址，最多可寻址4 mb。
② tms320f2812中，有的存储空间共用1个片选信号，如zone0和zone1共用xzcs0and1，zone6和zone7共用xzcs6and7。各空间均可独立设置读、写信号的建立时间、激活时间及保持时间。
对任何外部空间读／写操作的时序都可以分成3部分：建立、激活和保持，时序如图1和图2所示。在建立（lead）阶段，访问存储空间的片选信号变为低电平并且地址被送到地址总线（xa）上。默认情况下该阶段的时间设置为最大，为6个xtimclk周期。在激活（active）阶段，对外部设备进行读写，相应的读写信号（xrd和xwd）变为低电平，同时数据被送到数据总线（xd）上。默认情况下读写该阶段的时间均设置为14个xtimclk周期。跟踪（trail）阶段是指读写信号变为高电平，但片选信号仍保持低电平的一段时间周期，默认情况下该阶段时间设置为6个xtimclk周期。因此，在编程时要根据外部设备的接口时序来设置xintf的时序，从而正确地对外设读写。
2、 扩展存储器硬件设计
2.1 外部存储器与tms320f2812的接口电路设计
tms320f2812内置18 kb ram。为了使用方便，本系统又扩展了256 kb saram，芯片选用is61lv25616（256k×16位），其数据访问时间为10 ns。由于tms320f2812采用统一寻址方式，因此扩展的saram既可以作程序存储器也可以作数据存储器。同时，为了保存掉电不丢失的数据，扩展了32 kbeeprom，选用at28lv256，32k×8位，用2片组成32k×16位。外扩存储器与tms320f2812的接口电路如图3所示，将saram分配在zone2，地址范围为0x80000～0xbffff，片选信号与tms320f2812的xzcs2相连。eeprom分配在zone6，地址范围为0x10000～0x107fff，片选信号xzcs6and7。
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