晶振不迷茫
之所以写这篇文章,是在做一个项目时发生了部分产品有时不晶振不起振的情况,小批100个,就发现有一两个产品上电不工作,要再次上电才正常,为解决这个问题,拿这100个多次测试,发现是随机的,有点摸不着头脑,客户订单已下,催着交货,搞得彻夜未眠!最后费了九牛二虎之力才最终解决,得以产品的量产。这里总结一条铁律:只要发现过的问题抱有侥幸心态而没解决,量产时一定会找上门来,上帝似乎很公平,从来不会放过粗心的人!并且会善待仔细认真的人!
下面从,晶振参数,mcu规格书与晶振下关的内容,逐步说明晶振如何选型,原厂如何测试哪些参数,特殊情况如何处理,大家一起共同进步!
目 录
1.晶振选型主要参数
2.mcudatasheet上与晶振相关的参数
3.晶振选型步骤
3.1.几个重要的公式:
3.2.晶振选型步骤
4.晶振厂如何测试晶振
4.1.杂散电容计算
4.2.外挂电容的计算
4.3.驱动功率的计算
4.4.负性阻抗的计算
5. 特殊情况应对
1.晶振选型主要参数
晶振规格书上的主要参数:
1)频率f
2)激励功率dl
3)负载电容cl
4)精度ppm
5)等效串联电阻esr
6)等效串联电容c1
7)等效并联电容c0
规格外的参数,负性阻抗:/-r/
截起epson规格书图片如下:
2.mcudatasheet上与晶振相关的参数
1)跨导(gm)
截起stm32l051c8t6规格书,如下图:
3.晶振选型步骤
3.1.几个重要的公式:
1)负载电容表达式:
负载电容是指与晶体振荡器相连的电路中的所有电容。它的值取决于外接电容cl1、cl2,以及pcb和连接点上的杂散电容(cs)。负载电容cl由晶体制造商指定。值得注意的是,若要得到精确的频率,振荡器电路的负载电容必须与所需要的值相等;若要频率保持稳定,则负载电容必须稳定。外接电容cl1和cl2就是为了把负载电容调校为制造商所指定的cl值。
2)增益裕量:
增益裕量是一个关键参数,它决定着振荡器是否能够起振。
gm 是反向器的跨导(在高频模块中的单位是ma/v,在32khz低频模块中的单位是μa/v)
gmcrit(gm 的临界值),取决于晶体的参数。假设cl1 = cl2,并且晶体上的负载电容与制造商的给定值完全一样。
反向器的跨导(gm)的值必须满足gm>
gmcrit,这是振荡器能够正常运行的必要条件。通常认为,增益裕量值为5是保证振荡器有效起振的最小值。
3)驱动功率dl:
drive level = irms2 * rl
rl=esr*(1+c0/cl)2 (rl表示电抗:即阻抗,容抗和感抗的和)
驱动功率是指石英晶体单元的消耗功率,其单位是微瓦(μw),可透过量测流经石英晶体的电流,再换算求出它所消耗的功率。功率量测值应该要小于个别晶体组件在规格上所定义的最大值。
一个振荡线路在设计上必须提供适当的功率,以让石英晶体单元开始起振并维持振荡。
此功率应该越小越好,除了能更为省电外,也和线路的安定性及石英晶体的寿命有关。振荡线路若提供过高的驱动功率,也会使石英晶体的非线性特性发生变化,以及造成石英/电极/接着材料的接口恶化,进而造成振荡频率和等效阻抗的过度变化。当石英晶体长时间在过高的驱动功率下工作,会出现不稳定的现象。以32khz
的石英晶体单元來說,当驱动功率过大时,有可能导致内部音叉型晶体的断裂;对于mhz 等级的at
型晶体來說,则可能产生跳频现象,并影响石英晶体的寿命及可靠度。
4)负性负抗:|-r|=rs+rl
负性阻抗代表振荡线路的起振余裕狀况,也就是这个线路的健康度,即石英晶体在驱动下容不容易被起振。负性阻抗并非真实发生的阻抗值,而是在石英晶体旁边外加一个电阻(rs),去仿真石英晶体内部的esr
被加大时,整个振荡线路是否仍能被正常起振。负性阻抗的量测值越大越好,这表示此一振荡线路越容易被起振;负性阻抗值不足时,则表示此一振荡线路会有起振过慢的现象,甚至可能导致不起振的狀况发生。负性阻抗的判断基本值是石英晶体最大esr
值的3~5 倍。
3.2.晶振选型步骤
步骤一:计算增益裕量
选择一个晶体,然后找到控制器的参考手册(选择晶体+微控制器数据手册,)计算微控制器中振荡器的增益裕量,查看它是否比5大:
例:,为某微控制器中gm值为25 ma/v的振荡器做设计时,我们选择了具有以下特性的石英晶体:frequency = 8 mhz,c0 = 7
pf,cl = 10 pf,esr = 80,问此晶体是否可以用于此微控制器?(以上参数从晶振规格书取得)
我们首先计算一下gmcrit,
然后计算gainmargin,
可见,gainmargin值远大于5,满足起振条件,能够起动振荡器。晶体能够正常振荡。
如果计算后发现gainmargin值不合适(增益裕量gainmargin值小于5),则达不到振荡条件,晶体将不能振荡。这时你只能再选择一个有更低esr和/或有更低cl值的晶体了。
步骤二:计算外挂负载电容
计算cl1和cl2,查看是否能够在市场上买到它们:
如果你能买到与你的计算值完全一样的电容,振荡器就会工作在预期的频率上,你可以进入步骤三了。
如果你没有买到那个值的电容,并且:
频率精度对你而言非常关键,你可以使用一个可调电容以获得精确的值。然后你可以进入步骤三了。你对频率精度的要求并不严格,就选择一个在市场上能买到的值最接近的电容,然后进入步骤三。步骤三:计算驱动功率和外接电阻
计算dl,然后比较它与dlcrystal谁大谁小:
1)如果dl dlcrystal,你应该再计算rext以满足dl 5,恭喜你,你找到了一个合适的晶体!
如果增益裕量太小,这个晶体将不能正常工作,你只能再重新选择一个晶体了。回到步骤一,选择一个新的晶体吧!
4.晶振厂如何测试晶振
下面以epson为例,介绍晶振厂如何测试晶振:
晶振测试,epson称之为ce(crystal evaluation)测试,主要评估无源晶振回路特性,
通过调节负载电容cl来等评估频偏
通过负性阻抗|-r|来判断起振能力
通过驱动功率dl来判断是否过驱
下图是晶振电路示意图:
4.1.杂散电容计算
由公式:cl=(cg//cd)+cs
cl=(cg*cd)/(cg+cd)+cs
其中cs表示杂散电容。
例:当cl=12.5pf,cg=cd=18pf,测量的频率差接近0ppm,时,此时的
cs=12.5-9=3.5(pf)
说明:cs经验值为:3.5-8pf
4.2.外挂电容的计算
当发现频率正偏或负偏时,如何调整外挂电容?
原理:电容容值越大,放电越慢
电容容值越小,放电越快。
1)当测得的频偏是-ppm时(负偏),减小电容容量,一般同时减小cg,cd
2)当测得的频偏是+ppm时(正偏),增大电容容量, 一般同时增大cg,cd
当不到两个相同且合适的cg,cd时,cg,cd可以一大一小。
4.3.驱动功率的计算
dl = irms2 * rl
rl=esr*(1+c0/cl)2
irms可以用电流夹来测试,rl为整个回路的等效电抗,c0,cl可以从晶振的规格书算得,算得的实际值小于晶振规格书的电大驱动功率!
4.4.
负性阻抗的计算
公式如下:
|-r|=rs+rl
rl=esr (1+c0/cl)2
rs为从0调整到晶振电路不起振时,对应的电阻值,
晶振厂先测得rs,再算得rl,最后得出负性阻抗的值,
这个值必须大于5倍的esr,才能保证晶振稳定地起振。
说明:rf是晶振电路的反馈电容,让反馈电路处于放大电路的线性区,rd为限流电阻 ,此电阻可以防止晶振过驱。
下方为epson原厂的测试报告:
5.特殊情况应对
以面几节内容分别来自于st的官方指导文件,以及epson原厂的指导文件,实际选取晶振时,我们因为不可能先进行测试晶振的参数,因为我没法测驱动功率和负性阻抗,因此只能按st提供的选取晶振的方法。那么当按照他们给定的方法选取时,并不能保证100%就可以。
例于:ecp-gw-2项目
mcu型号为:stm32f103rct6.
datasheet提供的gm规格如下:
晶振选型为:fc-135r 32.768khz,6pf,20ppm
gainmargin=11.6994031
这个值选大于5,但还是存在不振起的现像。
存大两大疑点:
1)晶振会不会不型号不对?:让原厂核对丝印,是对的。
2)板子layout会不会有问题?
这个layout走线短,没有什么问题的。
方法一:
但在晶的振两端并上16-20m的电阻,可以解决上面的问题,原理分析如下:
1.并上一个电阻后,esr是减小的,
从|-r|>5esr看,减小esr是有利于起振的
从:
看
减小esr,相当于增大gain margin,这个值st要求大于5的
方法二:
有的mcu的gm有几个档位,增大gm,也可以避免晶振不起振的问题。但像stm32f103rct6这颗mcu,gm只有一档。
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