SK海力士成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E
实现牵引ai技术革新的最高性能，将于明年上半年投入量产
有望继hbm3后持续在用于ai的存储器市场保持独一无二的地位
“以业界最大规模的hbm量产经验为基础，扩大供应并加速业绩反弹”
2023年8月21日，sk海力士宣布，公司成功开发出面向ai的超高性能dram新产品hbm3e*，并开始向客户提供样品进行性能验证。
sk海力士强调：
公司以唯一量产hbm3的经验为基础，成功开发出全球最高性能的扩展版hbm3e。并凭借业界最大规模的hbm供应经验和量产成熟度，将从明年上半年开始投入hbm3e量产，以此夯实在面向ai的存储器市场中独一无二的地位。
据公司透露， hbm3e不仅满足了用于ai的存储器必备的速度规格，也在发热控制和客户使用便利性等所有方面都达到了全球最高水平。
此次产品在速度方面，最高每秒可以处理1.15tb（太字节）的数据。其相当于在1秒内可处理230部全高清（full-hd，fhd）级电影（5千兆字节，5gb）。
与此同时，sk海力士技术团队在该产品上采用了advanced mr-muf*最新技术，其散热性能与上一代相比提高10%。hbm3e还具备了向后兼容性（backward compatibility）**，因此客户在基于hbm3组成的系统中，无需修改其设计或结构也可以直接采用新产品。
英伟达hyperscale和hpc部门副总裁伊恩·巴克（ian buck）表示：
英伟达为了最先进加速计算解决方案(accelerated computing solutions)所应用的hbm，与sk海力士进行了长期的合作。为展示新一代ai计算，期待两家公司在hbm3e领域的持续合作。
sk海力士dram商品企划担当副社长柳成洙表示：
公司通过hbm3e，在ai技术发展的同时备受瞩目的hbm市场中有效提升了产品阵容的完成度，并进一步夯实了市场主导权。今后随着高附加值产品hbm的供应比重持续加大，经营业绩反弹趋势也将随之加速。
* hbm（high bandwidth memory）：垂直连接多个dram，与dram相比显著提升数据处理速度的高附加值、高性能产品。hbm dram产品以hbm（第一代）、hbm2（第二代）、hbm2e（第三代）、hbm3（第四代）、hbm3e（第五代）的顺序开发。hbm3e是hbm3的扩展（extended）版本。
* mr-muf：将半导体芯片堆叠后，为了保护芯片和芯片之间的电路，在其空间中注入液体形态的保护材料，并进行固化的封装工艺技术。与每堆叠一个芯片时铺上薄膜型材料的方式相较，工艺效率更高，散热方面也更加有效。
** 向后兼容性（backward compatibility）：指在配置为与旧版产品可兼容的it/计算系统内，无需另行修改或变更即可直接使用新产品。例如，对cpu或gpu企业，如果半导体存储器新产品具有向后兼容性，则无需进行基于新产品的设计变更等，具有可直接使用现有cpu/gpu的优点。
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sk海力士强调：
公司以唯一量产hbm3的经验为基础，成功开发出全球最高性能的扩展版hbm3e。并凭借业界最大规模的hbm供应经验和量产成熟度，将从明年上半年开始投入hbm3e量产，以此夯实在面向ai的存储器市场中独一无二的地位。
据公司透露， hbm3e不仅满足了用于ai的存储器必备的速度规格，也在发热控制和客户使用便利性等所有方面都达到了全球最高水平。
此次产品在速度方面，最高每秒可以处理1.15tb（太字节）的数据。其相当于在1秒内可处理230部全高清（full-hd，fhd）级电影（5千兆字节，5gb）。
与此同时，sk海力士技术团队在该产品上采用了advanced mr-muf*最新技术，其散热性能与上一代相比提高10%。hbm3e还具备了向后兼容性（backward compatibility）**，因此客户在基于hbm3组成的系统中，无需修改其设计或结构也可以直接采用新产品。
英伟达hyperscale和hpc部门副总裁伊恩·巴克（ian buck）表示：
英伟达为了最先进加速计算解决方案(accelerated computing solutions)所应用的hbm，与sk海力士进行了长期的合作。为展示新一代ai计算，期待两家公司在hbm3e领域的持续合作。
sk海力士dram商品企划担当副社长柳成洙表示：
公司通过hbm3e，在ai技术发展的同时备受瞩目的hbm市场中有效提升了产品阵容的完成度，并进一步夯实了市场主导权。今后随着高附加值产品hbm的供应比重持续加大，经营业绩反弹趋势也将随之加速。
* hbm（high bandwidth memory）：垂直连接多个dram，与dram相比显著提升数据处理速度的高附加值、高性能产品。hbm dram产品以hbm（第一代）、hbm2（第二代）、hbm2e（第三代）、hbm3（第四代）、hbm3e（第五代）的顺序开发。hbm3e是hbm3的扩展（extended）版本。
* mr-muf：将半导体芯片堆叠后，为了保护芯片和芯片之间的电路，在其空间中注入液体形态的保护材料，并进行固化的封装工艺技术。与每堆叠一个芯片时铺上薄膜型材料的方式相较，工艺效率更高，散热方面也更加有效。
** 向后兼容性（backward compatibility）：指在配置为与旧版产品可兼容的it/计算系统内，无需另行修改或变更即可直接使用新产品。例如，对cpu或gpu企业，如果半导体存储器新产品具有向后兼容性，则无需进行基于新产品的设计变更等，具有可直接使用现有cpu/gpu的优点。
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