NP2302FVR-J(20 v n沟道增强型MOSFET)

描述
 np2302fvr-j使用先进的海沟技术 提供优秀的rds()、低门和高收费
 超低密度细胞设计导通电阻。这个设备适合作为负荷开关或脉宽调制
 应用程序。
一般特征
 vds =20v,id =2a
 rds(上)(typ) = 50 mΩ@vgs = 4.5 v
 rds(上)(typ) = 68 mΩ@vgs = 2.5 v
  high 功率 和 电流 处理 能力
  lead 免费 产品
  surface 安装 包
应用程序
  pwm 应用 程序
  load 开关
封装
  sot-23
原理图
标记和引脚分配
订购信息


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