怎么理解电容的直流偏压特性?

电容是电路中最常用的被动器件之一,他有频率、偏压等特性,很多同学不清楚偏压特性究竟有什么影响?学校课本中也没有重点介绍这个注意事项,很容易采坑,本节以实际电容为例,介绍电容偏压特性的影响。
电容的偏压特性也叫做偏置特性,也有的人把它叫做电容的直流电压特性,它的意思是电容两端如果加入直流电压时,电容值会随着直流电压的上升而降低,下图是电容:grt155c81c105ke13的偏压特性曲线图,电容是1uf、封装为0402电容,左图中可以看到随着直流电压的上升电容的容量是逐渐减小的,当电容两端电压是4v时,1uf电容下降了33.6%,变成了1*(1-0.336)=0.664uf,那么怎么更直观的理解这个参数的影响呢?实际电路设计应用中又如何规避偏压影响呢?
我们以一阶rc低通滤波电路为例,这样介绍会更直观,下图第一行中一阶rc低通滤波器电阻是1kω,电容是1uf,截止频率fc=1/(2πr*c)=160hz,意思是输入一个160hz@1vpp的正弦信号,输出信号会衰减3db,峰峰值变为0.7vpp,频率超过160hz的信号会被衰减,而频率低于160hz的信号会通过,因此叫做低通滤波器。第二行中,还是用的 相同的电容、相同的电路结构 ,只有输入信号有区别,现在输入信号叠加了4v的直流偏置,根据上面的偏压曲线图可以知道,电容的容值降低了33.6%,变成了0.664uf,因此截止频率也变化成了241hz,此时输入241hz@1vpp的正弦信号,理论上输出信号是241hz@0.7vpp。
相比于理论介绍,我知道大家都更喜欢实践,接下来就实际接个电路测试下,测试电路和方法非常简单,电路就是上图中的电路,用的1k的电阻,电容用的是grt155c81c105ke13,容值为1uf,分别做两种试验,两种试验都是在输入端加载1vpp的正弦信号,信号频率从1hz扫描到10khz,采集输出端的波形,画出增益曲线(伯德图),这个过程称为扫频,网络分析仪就是这个原理,这两种试验唯一区别是,试验1的信号是纯交流信号,实验二会叠加一个4v的直流。
下图是试验1的测试结果,根据1k电阻和1uf电容计算截止频率理论上应该是160hz。第一行是输入的160hz@1vpp正弦信号,第二行是输出的信号,可以看到在160hz截止频率下,1vpp衰减为0.7vpp,与前文理论分析是一致的。第三行是增益曲线图,扫描频率从1hz到10khz,-3db频点位置是160hz,与前文理论分析结果是一致的。
下图是试验2的测试结果,与试验1用的是相同的电阻电容,电阻是1k,电容是1uf, 由于叠加了4v直流电压,理论上电容应该下降为0.664uf ,根据1k电阻和0.664uf电容计算截止频率理论上应该是241hz。第一行是输入的260hz@1vpp正弦信号再叠加一个4v的直流信号,第二行是输出的信号,可以看到在260hz截止频率下,1vpp衰减为0.7vpp,与前文理论分析的241hz非常接近。第三行是增益曲线图,扫描频率从1hz到10khz,-3db频点位置是260hz,与前文理论分析结果的241hz相差不大,基本一致。
从上面两个试验可以看出,相同的电阻和电容,如果输入信号叠加了直流电压会影响到实际电容值,在输入信号不同的情况下,截止频率是有差异的,这就是偏置电压带来的影响,因此在电源中普遍用大量大容值电容,并且并联连接。如果放大信号,后级的信号如果有偏置电压,那么也要考虑这个偏置电压的影响,并且选择合适的电容,通常正负双极性的双向电源对此要求不高,而单电源的采集电路,信号一般会在vcc/2基础上波动,这个直流电压一定要在电路设计中就充分考虑。
注意:通常的电路仿真软件是无法仿真出实际电容这个偏置电压的影响的,比如仿真软件中的1uf就是1uf,不会随着直流偏置电压的改变而改变,这一点一定要注意!
就比如下图的电路仿真,依然是1kω和1uf,不管叠加的直流信号是多少,3db截止频率始终是160hz,所以仿真只是功能性仿真,而在实际应用中积累丰富的理论指导原则和实践经验才是关键。
工程师看海

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