Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB
vishay 推出新款8v和20v n沟道和p沟道trenchfet®功率mosfet---si8424cdb、si8425db。这些mosfet具有业内最低的导通电阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x 0.6mm的csp micro foot®封装。
在智能手机、平板电脑和移动计算设备等便携式电子产品的电源管理应用中，今天推出的器件将用于电池和负载切换。mosfet的小尺寸可节约pcb空间，实现超薄的外形，让便携式电子产品变得更薄、更轻，而且器件的低导通电阻能够实现更低的传导损耗，从而降低能耗，延长两次充电间的电池寿命。器件的低导通电阻还意味着在负载开关上的压降更低，防止出现讨厌的欠压锁定现象。
对于导通电阻比空间更重要的应用场合，8v n沟道si8424cdb和20v p沟道si8425db在4.5v栅极驱动下的最大导通电阻分别为20mω和23mω。器件采用1.6mm x 1.6mm x 0.6mm csp封装。更小的1mm x 1mm x 0.55mm的si8466edb 8v n沟道mosfet在4.5v下的最大导通电阻为43mω，将用于空间比导通电阻更重要的应用场合。si8466edb的典型esd保护达到3000v。
si8466edb和si8424cdb可在1.2v电压下导通，可与手持设备中常见的更低电压的栅极驱动和更低的总线电压配合工作，省掉电平转换电路的空间和成本。今天推出的所有器件都符合rohs指令2011/65/eu，符合jedec js709a的无卤素规定。
器件规格表：
新款trenchfet功率mosfet现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十四周。
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si8466edb和si8424cdb可在1.2v电压下导通，可与手持设备中常见的更低电压的栅极驱动和更低的总线电压配合工作，省掉电平转换电路的空间和成本。今天推出的所有器件都符合rohs指令2011/65/eu，符合jedec js709a的无卤素规定。
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