防烧电路中的MOS管控制
目前客户用的防烧电路中的mos管一个主要规格要求vth低，当前使用的防烧mos管vth (vgs=vds，id=250ua)小于1v。实际用1.8v的电压来控制，可以完全打开mos管了。但是当前vth小于1v的功率mos 阻抗偏大 id较小。
如果要使用阻抗更小 id更大的功率mos，vth(vgs=vds，id=250ua) 在2.5v左右，现在手机平台的gpio是1.8v，未来还会进一步降低为1.2v。1.2v或者1.8v的电压就不足与控制现有防烧mos以及功率更大的功率mos。
实际上可以在原来防烧mos的电路上，通过增加vth较低的小信号mos，来实现1.2v/1.8v 电压去控制打开vth=2.5v 的功率mos。原理介绍如下：
一.原防烧电路
原防烧功率mos vth较低，用1.8v完全可以控制打开。控制过程如下：
gpio=1.8v ，nmos g=1.8v，s=0v， vgs=1.8v，nmos导通。 gpio=0v ，nmos g=0v， s=0v ，vgs=0v， nmos关闭。二.增加2个小信号nmos管
通过增加2颗vth较小(小于1.2v或1.8v)的nnos，可以实现1.2v/1.8v的信号电平，来使能打开vth>2.5v的功率mos，其中3.4v来自于电池电压或者vbob。控制过程如下：
gpio=1.2v ，g1=1.2v，s1=0v， vgs1=1.2v，nmos1导通，d1=s1=g2=0v，nmos2关闭，d2=g3=3.4v，防烧mos g3=3.4v，防烧mos vgs=3.4v，防烧mos管打开。
gpio=0v ，nmos g1=0v，s1=0v ，vgs=0v，nmos1关闭，d1=g2=g2=3.4v，nmos2打开，d2=0v，vgs=0v，防烧mos g3=0v ，防烧mos vgs=0v，防烧mos关闭。
二.增加一颗nmos+一颗pmos
通过增加2颗vth较小(小于1.2v或1.8v)的nnos和pmos，可以实现1.2v/1.8v的信号电平，来使能打开vth>2.5v的功率mos，其中3.4v来自于电池电压或者vbob。控制过程如下：
gpio=1.2v ，nmos g1=1.2v，s1=0v， vgs1=1.2v，nmos导通，d1=s1=g2=0v，s2=3.4v，vgs2=-3.4vv ，pmos导通，d2=s2=3.4v，防烧mos g=3.4v，防烧mos vgs=3.4v，防烧mos管打开。
gpio=0v ，nmos g1=0v，s1=0v ，vgs=0v，nmos关闭，d1=g2=s2=3.4v，d2=0v，vgs=0v，pmos关闭不导通，d2=0v，防烧mos g=0v，vgs=0v，防烧mos关闭。
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实际上可以在原来防烧mos的电路上，通过增加vth较低的小信号mos，来实现1.2v/1.8v 电压去控制打开vth=2.5v 的功率mos。原理介绍如下：
一.原防烧电路
原防烧功率mos vth较低，用1.8v完全可以控制打开。控制过程如下：
gpio=1.8v ，nmos g=1.8v，s=0v， vgs=1.8v，nmos导通。 gpio=0v ，nmos g=0v， s=0v ，vgs=0v， nmos关闭。二.增加2个小信号nmos管
通过增加2颗vth较小(小于1.2v或1.8v)的nnos，可以实现1.2v/1.8v的信号电平，来使能打开vth>2.5v的功率mos，其中3.4v来自于电池电压或者vbob。控制过程如下：
gpio=1.2v ，g1=1.2v，s1=0v， vgs1=1.2v，nmos1导通，d1=s1=g2=0v，nmos2关闭，d2=g3=3.4v，防烧mos g3=3.4v，防烧mos vgs=3.4v，防烧mos管打开。
gpio=0v ，nmos g1=0v，s1=0v ，vgs=0v，nmos1关闭，d1=g2=g2=3.4v，nmos2打开，d2=0v，vgs=0v，防烧mos g3=0v ，防烧mos vgs=0v，防烧mos关闭。
二.增加一颗nmos+一颗pmos
通过增加2颗vth较小(小于1.2v或1.8v)的nnos和pmos，可以实现1.2v/1.8v的信号电平，来使能打开vth>2.5v的功率mos，其中3.4v来自于电池电压或者vbob。控制过程如下：
gpio=1.2v ，nmos g1=1.2v，s1=0v， vgs1=1.2v，nmos导通，d1=s1=g2=0v，s2=3.4v，vgs2=-3.4vv ，pmos导通，d2=s2=3.4v，防烧mos g=3.4v，防烧mos vgs=3.4v，防烧mos管打开。
gpio=0v ，nmos g1=0v，s1=0v ，vgs=0v，nmos关闭，d1=g2=s2=3.4v，d2=0v，vgs=0v，pmos关闭不导通，d2=0v，防烧mos g=0v，vgs=0v，防烧mos关闭。
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