AEC-Q200各种实施标准检测介绍
今天就沿着车规级零部件测试这个主题，和大家一起分享一下aec-q200的环境试验条件。
aec-q200的环境试验条件
aec-q200的环境试验条件，主要是依据mil-std-202与jedec22a-104规范来制定的，不同零件的试验温度除了不一样之外，其施加电源(电压、电流、负载)要求也会有所不同，高温储存属于不施加偏压与负载，但高温下的工作寿命是必要的，温度循环和温度冲击，它们的测试目的和手法是不同的，温度循环下的高低温的变化需要温变率的控制，温冲击就不需要了，偏高湿度是通常所说的高温高湿测试，湿度抵抗是湿冷冻测试；
试验条件注意事项：
1000h试验过程需在250h、500h进行间隔量测。
高温储存(mil-std-202-108)
薄膜电容、网络低通滤波器、网络电阻、热敏电阻、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、emi干扰抑制器、emi干扰过滤器：85℃/1000h；
电感、变压器、电阻：125℃/1000h；
变阻器：150℃/1000h；
钽电容、陶瓷电容、铝电解电容：最大额定温度/1000h。
高温工作寿命(mil-std-202-108)
网络低通滤波器、网络电阻：85℃/1000h；
emi干扰抑制器、emi干扰过滤器：85℃/1000h/施加额定il；
钽电容、陶瓷电容：最大额定温度/1000h/ (2/3)负载/额定电压；
铝电解电容、电感、变压器：105℃/1000h；
薄膜电容：1000h/(85℃/125%额定电压、105℃&125℃/100%额定电压；
自恢复保险丝：125℃/1000h；
电阻、热敏电阻、可变电容：125℃/1000h/额定电压；
可变电阻：125℃/1000h/额定功率；
变阻器：125℃/1000h/额定电压85％+ma电流；
陶瓷共鸣器：85℃/1000h/额定vdd+1mω，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2x的晶体cl电容；
石英震荡器：125℃/1000h/额定vdd+1mω，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2x的晶体cl电容；
温度循环(jedec22a-104)
薄膜电容、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、emi干扰抑制器、emi干扰过滤器：
-55℃(30min)←→85℃(30min)/ramp(15℃/min)/1000cycles；
钽电容、陶瓷电容、电阻、热敏电阻： -55℃(30min)←→125℃(30min) /ramp(15℃/min)/1000cycles；
铝电解电容：-40℃(30min)←→105℃(30min) /ramp(15℃/min)/1000cycles；
电感、变压器、变阻器、石英震荡器、自恢复保险丝：-40℃(30min)←→125℃(30min)/ramp(15℃/min)/1000cycles；
网络低通滤波器、网络电阻：
-55℃(30min)←→125℃(30min) /ramp(15℃/min)/1000cycles；
温度冲击(mil-std-202-107)
自恢复保险丝：
-40℃(15min)←→125℃(15min)/300cycles；
偏高湿度(mil-std-202-103)
钽电容、陶瓷电容：85℃/85%r.h./1000h/电压1.3～1.5v；
电感&变压器：85℃/85%r.h./1000h/不通电；
铝电解电容：85℃/85%r.h./1000h/额定电压 ；
emi干扰抑制器、emi干扰过滤器：85℃/85%r.h./1000h/额定电压＆电流；
电阻、热敏电阻：85℃/85%r.h./1000h/工作电源10%；
自恢复保险丝：85℃/85%r.h./1000h/额定电流10%；
可变电容、可变电阻：85℃/85%r.h./1000h/额定功率10%；
网络低通滤波器&网络电阻：85℃/85%r.h./1000h/电压[网络电容(额定电压)、网络电阻(10%额定功率)]；
变阻器：85℃/85%r.h./1000h/额定电压85％+ma电流；
石英震荡器、陶瓷共鸣器：85℃/85%r.h./1000h/额定；vdd+1mω，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2x的晶体cl电容；
薄膜电容：40℃/93%r.h./1000h/额定电压；
湿度抵抗(mil-std-202-106)
薄膜电容：(25℃←→65℃/90%r.h.*2cycle)/18h→-10℃/3h，每一cycle共24h，step7a&7b不通电；
上述各种检测均来自aec-q200实施标准，对于以上检测条件，金鉴实验室均可提供相应的检测解决方案，希望对大家的检测有所帮助。有兴趣者可下方留言探讨。
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aec-q200的环境试验条件，主要是依据mil-std-202与jedec22a-104规范来制定的，不同零件的试验温度除了不一样之外，其施加电源(电压、电流、负载)要求也会有所不同，高温储存属于不施加偏压与负载，但高温下的工作寿命是必要的，温度循环和温度冲击，它们的测试目的和手法是不同的，温度循环下的高低温的变化需要温变率的控制，温冲击就不需要了，偏高湿度是通常所说的高温高湿测试，湿度抵抗是湿冷冻测试；
试验条件注意事项：
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高温储存(mil-std-202-108)
薄膜电容、网络低通滤波器、网络电阻、热敏电阻、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、emi干扰抑制器、emi干扰过滤器：85℃/1000h；
电感、变压器、电阻：125℃/1000h；
变阻器：150℃/1000h；
钽电容、陶瓷电容、铝电解电容：最大额定温度/1000h。
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网络低通滤波器、网络电阻：85℃/1000h；
emi干扰抑制器、emi干扰过滤器：85℃/1000h/施加额定il；
钽电容、陶瓷电容：最大额定温度/1000h/ (2/3)负载/额定电压；
铝电解电容、电感、变压器：105℃/1000h；
薄膜电容：1000h/(85℃/125%额定电压、105℃&125℃/100%额定电压；
自恢复保险丝：125℃/1000h；
电阻、热敏电阻、可变电容：125℃/1000h/额定电压；
可变电阻：125℃/1000h/额定功率；
变阻器：125℃/1000h/额定电压85％+ma电流；
陶瓷共鸣器：85℃/1000h/额定vdd+1mω，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2x的晶体cl电容；
石英震荡器：125℃/1000h/额定vdd+1mω，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2x的晶体cl电容；
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-55℃(30min)←→85℃(30min)/ramp(15℃/min)/1000cycles；
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铝电解电容：-40℃(30min)←→105℃(30min) /ramp(15℃/min)/1000cycles；
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-40℃(15min)←→125℃(15min)/300cycles；
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变阻器：85℃/85%r.h./1000h/额定电压85％+ma电流；
石英震荡器、陶瓷共鸣器：85℃/85%r.h./1000h/额定；vdd+1mω，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2x的晶体cl电容；
薄膜电容：40℃/93%r.h./1000h/额定电压；
湿度抵抗(mil-std-202-106)
薄膜电容：(25℃←→65℃/90%r.h.*2cycle)/18h→-10℃/3h，每一cycle共24h，step7a&7b不通电；
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