Snapdragon的875将采用5纳米节点的制造
高通技术峰会计划于12月1日开始，该公司将发布其下一代旗舰智能手机芯片组-高通snapdragon875。现在，在正式宣布发布的几周前，即将发布的soc的详细信息已在网上泄露。
一个新的报告来自中国声称，snapdragon的875将采用5纳米节点的制造。值得注意的是，这不是新信息，因为它早些时候已经被揭示出来。此外，由于已经发布了apple a14 bionic和华为hisilicon kirin 9000，因此它将不是第一个使用5nm工艺制造的芯片组。
报告显示，即将推出的八核芯片组将配备一个时钟频率为2.84ghz的超大内核，三个时钟频率为2.42ghz的cortex-a78内核以及四个时钟频率为1.8ghz的cortex-a55内核。据说还包装了adreno 660 gpu，以增强图形性能。
以前，有报道称，对于sd875芯片组，高通公司选择了“超大尺寸”内核，即cortex-x1，据称其性能比cortex-a78提高了23%。
至于连通性支持，预计soc将与snapdragon x60 5g调制解调器一起提供，但是该公司是否选择使其成为集成调制解调器（与之前的产品类似）还有待观察。
就在几天前，在antutu基准测试平台上发现了由qualcomm sd875 soc驱动的原型设备，该芯片组获得899，401分，cpu得分333，246分，gpu得分342，225分。
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