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IRLR3110ZTRPBF HEXFET 功率 MOSFET 的详细资料
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irlr3110ztrpbf这款 hexfet 功率 mosfet 专为工业应用而设计,利用最新的处理技术实现每硅面积极低的导通电阻。此设计的其他特点是 175°c 的结工作温度、快速的开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该设计成为用于工业应用和各种其他应用的极其高效和可靠的设备。
irlr3110ztrpbf主要特点
先进的工艺技术 超低导通电阻 175°c 工作温度 快速切换 允许重复雪崩高达 tjmax
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