IPA和超纯水混合溶液中晶圆干燥和污染物颗粒去除的影响
引言
半导体制造过程中，在每个过程前后实施的清洗过程约占整个过程的30%，是重要的过程之一。特别是以rca清洁为基础的湿式清洁工艺，除了化学液的过度使用、设备的巨大化、废水造成的环境污染等问题外，重要的是有效地冲洗，防止清洁化学液在道工序后在晶片表面残留，以及防止水斑点等污染物再次污染。因此，最近在湿清洗过程中，正在努力减少化学液和超纯水的量，回收利用，开发新的清洗过程，在干燥过程中，使用超纯水和ipa分离层的marangoni干燥方法正在引入。本研究考察了不同于传统的marangoni方法，利用超纯水和ipa的混合溶液表面进行干燥和去除污染颗粒的效果。
实验方法
自制了超纯水和ipa混合溶液安装在室内，为了制造一定浓度的混合溶液，我们先在单独的容器中混合，并保持混合溶液在bath内以3 lpm的流量恒定地投入。此外，为了方便晶片的干燥，还采取了其他措施。
实验结果
根据ipa的浓度变化，观察晶片表面污染颗粒的增减情况，在ipa添加量为低浓度和高浓度的情况下，可以观察到良好的结果。而且，将晶片从bath内取出到大气中时的解除速度对晶片表面的污染粒子数没有太大影响，但对晶片底部的water droplet形成有很大影响，结论表明与gan有密切关系。另外，继续反复使用超纯水和ipa混合溶液进行工艺，表明晶片表面存在的粒子数量没有增加，而是保持在一定水平。干燥过程中吹的hot n2的温度变化，晶片表面温度在各部分观察不一样，但没有特别的影响。
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