NP8P016MR 16V p通道增强模式MOSFET
描述
np8p016mr采用先进壕沟
技术提供优良的rds(on)，低栅
充电和工作的栅极电压低至1.8v。
本装置适用于作为负载开关或中压开关
脉宽调制的应用程序。
一般特征
vds = -16v, id = -8a
rds(上)(typ) = 15米ω@vgs = -4.5 v
rds(上)(typ) = 19 mω@vgs = -2.5 v
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
应用程序
pwm程序
负荷开关
包
sot-23-3l
订购信息
绝对最大额定值(除非另有说明，ta=25℃)
电特性(除非另有说明，ta=25℃)
热特性
a.将设备安装在1in2上测量rθja的值
fr-4板与2oz。铜，在静止的空气环境中与
ta = 25°c。在任何给定的应用程序中的值取决于用户的特定板设计。
b.功率损耗pd是基于tj(max)=150℃，采用≤10s的结环境热阻。
c.重复额定值，脉宽受结温tj(max)=150°c限制。额定值是基于低频率和职责
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基于MCS-51汽油机电控燃油喷射系统的设计方案
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基于SOPC技术的虚拟示波器设计
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