Litho路障威胁到40纳米以下的芯片生产
加利福尼亚州圣何塞 - 制造商设备供应商佳能公司的一位官员警告说，下一代平版印刷术（ngl）面临着新的障碍，可能会威胁到ic产业转向低于40纳米的芯片制造业。
current 193在65纳米节点之后，-nm光学工具可能会碰壁，这促使人们需要65纳米及以上的新解决方案。浸入式光刻技术仍然是当前和“干燥”193纳米工具之后最有前途的技术，但评委会仍然不清楚该技术是否可以处理晶圆 - 大批量生产。
电子投影光刻（epl）缺乏客户群，而极紫外（euv）技术显然已经遇到了一个新的，无法预料的障碍 - 可行的光刻胶。
euv应该在2009年之前投入生产32纳米节点。在euv进入晶圆厂批量生产之前，该行业必须解决几个问题，最明显的是电源。
在最近的日本euv活动中，平版印刷者发现了一个新问题。 euv“40nm以下的化学放大抗蚀剂图像是不可接受的，”光学设备供应商佳能（东京）的研究员phil ware周四（11月18日）在国际sematech全球经济研讨会上发表演讲。
过去，euv支持者声称目前的抗蚀剂适合生产。然而，ware表示euv将需要“更灵敏的抗蚀剂”，以便euv工具处理低于40纳米的晶圆。 “这是业界必须克服的问题之一，”韦尔说。
“euv看起来不确定，”他说。 “所有与euv相同的问题仍然在列表中，尽管所有的资金都花在了这个行业。如果euv没有来自32纳米节点，那将是22纳米的挑战。”
这并不是说其他ngl候选人都是扣篮，包括epl。 “epl有一个不同的问题：没有客户，”ware说。
甚至还有一些关于沉浸式光刻的问题，这应该在2006年和2007年的时间框架内出现。虽然该行业看好沉浸，但该技术尚未在生产工厂生产晶圆。 “我们正在等待的是生命的证据，”他说。
沉浸似乎也有一些理论上的限制。有些人认为沉浸可以扩展到22纳米节点。 ware指出，先进的193纳米浸没工具加上折射率为1.6的“调味水”，只能处理低至40纳米的晶圆。
“你还需要（解决方案）在30纳米，“他说。使用157纳米工具进行浸入可能超过40纳米，但该技术仍然缺乏合适的157纳米镜头材料。他说，没有可行的157纳米浸泡液体。
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过去，euv支持者声称目前的抗蚀剂适合生产。然而，ware表示euv将需要“更灵敏的抗蚀剂”，以便euv工具处理低于40纳米的晶圆。 “这是业界必须克服的问题之一，”韦尔说。
“euv看起来不确定，”他说。 “所有与euv相同的问题仍然在列表中，尽管所有的资金都花在了这个行业。如果euv没有来自32纳米节点，那将是22纳米的挑战。”
这并不是说其他ngl候选人都是扣篮，包括epl。 “epl有一个不同的问题：没有客户，”ware说。
甚至还有一些关于沉浸式光刻的问题，这应该在2006年和2007年的时间框架内出现。虽然该行业看好沉浸，但该技术尚未在生产工厂生产晶圆。 “我们正在等待的是生命的证据，”他说。
沉浸似乎也有一些理论上的限制。有些人认为沉浸可以扩展到22纳米节点。 ware指出，先进的193纳米浸没工具加上折射率为1.6的“调味水”，只能处理低至40纳米的晶圆。
“你还需要（解决方案）在30纳米，“他说。使用157纳米工具进行浸入可能超过40纳米，但该技术仍然缺乏合适的157纳米镜头材料。他说，没有可行的157纳米浸泡液体。
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