Nexperia | USB4 ESD 二极管件实现了保护和性能的出色平衡
基础半导体器件领域的专家 nexperia（安世半导体）近日宣布推出两款经优化的静电放电（esd）保护二极管件，适用于高速数据线中的重定时器和信号中继器。pesd2v8y1bsf 专为保护 usb 4 (thunderbolt)接口而设计，而 pesd4v0y1bcsf 可适用于 usb 4 以及 hdmi 2.1。这两款产品均使用 nexperia（安世半导体）的成熟 treos 技术，集低钳位、低电容和高稳健性优势于一身。
重定时器和信号中继器是设计高速 usb 4 接口常用的器件。它们需要电路板走线变更短，从而降低寄生电感，但也会意外地降低整体系统级 esd 稳健性。pesd2v8y1bsf 和 pesd4v0y1bcsf 较低的超快传输线路脉冲（vftlp）峰值钳位电压，甚至低于标准 i(v) tlp 曲线中无明显的触发电压的 usb 4 保护解决方案。找正品元器件，上唯样商城。这有助于补偿保护器件和重定时器之间减少的电感，从而提高整体系统级 esd 稳健性。为达到esd的预算损耗建议值，这两款器件均可提供超低插入损耗（10 ghz 下为 -0.29 db）和回波损耗（10 ghz 下为 -20.6 db）。与其他解决方案不同的是，电容不会随工作电压增加，可提供完整的 rf 性能直到反向截止电压。
相较于其他 esd 保护二极管件，pesd2v8y1bsf 和 pesd4v0y1bcsf 可直接放置在所保护器件的连接器旁边，因此可提供更大的设计灵活性。这意味着交流耦合电容也会受到保护。此外，它将大部分线路电感置于 esd 保护和被保护器件之间，以优化系统的 esd 性能。
nexperia高级产品经理 stefan seider 表示：
nexperia通过提供尽可能降低 esd 保护对总预算影响的器件，帮助设计工程师在预算有限的情况下，满足高速usb4数据线的插入损耗和回波损耗要求。这两款器件在优化系统级esd稳健性和rf性能之间实现了出色的平衡。
为了向下兼容可通过 usb type-c 连接的旧接口标准（如usb3.2），pesd2v8y1bsf 设有 2.8 v 的反向截止电压 vrwm，而 pesd4v0y1bcsf 的 vrwm 为 4 v，因此还可适用于 hdmi 2.1。两款器件均使用 treos 技术，其 rf 性能在动作电压范围内均不会下降。除了 usb 4 和 hdmi 2.1 以外，两款器件还可用于保护 pcie 和 displayport 接口。
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