两种常见的MOSFET驱动电路

由分立器件组成的驱动电路((如图所示),驱动电路工作原理如下:
a.当hs为高电平时,q7、q4导通,q6关闭,电容c4上的电压(约14v)经过q4、d3、r6加到q5的栅极,使q5导通。在导通期间,q5的源极电压(phase)接近电源电压vdc,所以电容两端的电压随着phase电压一起浮动,电容c4亦称为自举电容。q5靠c4两端的电压来维持导通。
b. 当hs为低电平时,q7、q4关闭,q6导通,为q5的栅极提供放电回路,从而使q5很快关闭。当q5关闭后,由于下管的开通或负载的作用,使得phase电压下降接近0v,从而使c4经过+15v→d2→c4→gnd回路充电,为下一次导通做好准备。
c. 当ls为低电平时,q8、q11导通,q10关闭,驱动电路通过r11为下管q9的栅极充电,使q9导通。
d. 当ls为高电平时,q8、q11关闭,q10导通,为q9的栅极提供放电回路,使q9关断。
e. 当hs和ls同时为高电平时,上管开通下管关闭。当hs和ls同时为低电平时,上管关闭下管开通。在实际应用中,为了避免上下管同时开通,hs和ls的逻辑要靠mcu或逻辑电路来保证。
半桥驱动芯片组成的驱动电路
半桥驱动芯片组成的驱动电路如图所示,工作原理如下:
a.当hs和ls同时为高电平时,ho有驱动电压输出,使q1开通。当hs和ls同时为低电平时,lo有驱动电压输出,使q2开通。
b.电容c2与分立器件驱动电路里的c4作用相同,同样为自举电容。
c.电容c1为去藕电容,为抑制功率mosfet开关时对驱动电路浮动电源部分的干扰,一般应加上此电容。

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