MOSFET调整元件产生100mV压差稳压器
在该设计中，当电压转换器（max100）升压输入电压以驱动驱动n沟道mosfet的稳压器（max680）时，不会产生666mv压差稳压器。该电路使用n沟道mosfet代替pnp晶体管来提供最低的压差。
就低 ron，低压差、正电压稳压器的最佳调整管是 n 沟道 mosfet。然而，所有这些商用稳压器都使用双极性pnp调整管。在这些应用中，pnp晶体管可以完全饱和，因为基极电压低于输出电压，产生小于0.4v的集电极-发射极电压。相比之下，npn调整管两端的相应压降大于vbe（sat）（最小值为1.2v），因为稳压器电路通常不提供高于输入（vcc）的基极驱动电压。
n 沟道 mosfet 提供最低的 vdrop = iout × ron，但所需的 vgs 驱动随输出电流而变化，范围比输出电压高 3 至 4 v。在图1中，电路采用电压转换器芯片（ic1）提供该驱动电压，该芯片使用电荷泵技术将5v输入升压至10v。然后，10v输出驱动一个正电压稳压器（ic2），而ic2又驱动n沟道、逻辑电平mosfet q1。q1可用的栅极驱动保持高电平（10v），因为进入ic2的低电源电流（10μa）通过ic1产生很小的ir压降（约1.5mv），这使得ic1的输出几乎是vcc值的两倍。
在500ma工作期间，压差（维持稳压的vcc-vout的最小值）仅为100mv。静态电流仅为1ma，这要归功于ic1和ic2的cmos技术。电阻r3可防止mosfet栅极在稳压器关断时浮动，反馈电阻r1和r2设置稳压器的输出电压vout：
ic2还集成了一个低电池电量检测器，当检测器的输入电压（连接的lbi）低于1.3v时，其输出（lob）变为低电平。如图所示，电路检测vcc过压。对于正常范围vcc水平，lbo保持低电平，当vcc超过其上限（在本例中为6.3v）时，lbo变为高电平。当lbo将shdn输入拉高时，ic2关断，从而通过移除其栅极驱动来防止调整管中的过度耗散。r7通过限制ic1的电流来保护ic1。
您还可以使用检波器检测q1中的完全饱和（vcc小于vout加100mv的条件）。将 shdn 接地。（或者，您可以通过使用 cmos 门驱动 shdn 来关闭和打开输出。将r5–r6分压器设置为在vcc = vout + 100mv时产生1.3v，然后监视lbo的低（故障）条件。
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在500ma工作期间，压差（维持稳压的vcc-vout的最小值）仅为100mv。静态电流仅为1ma，这要归功于ic1和ic2的cmos技术。电阻r3可防止mosfet栅极在稳压器关断时浮动，反馈电阻r1和r2设置稳压器的输出电压vout：
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您还可以使用检波器检测q1中的完全饱和（vcc小于vout加100mv的条件）。将 shdn 接地。（或者，您可以通过使用 cmos 门驱动 shdn 来关闭和打开输出。将r5–r6分压器设置为在vcc = vout + 100mv时产生1.3v，然后监视lbo的低（故障）条件。
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