射频功率放大器需要庞大的冷却设备,因为众所周知,只要它们在恒定直流电源电压的帮助下供电,就会散发热量。射频发射器系统的很大一部分通常被冷却设备占据。rfpa 效率提高背后的原因和概念在于使用包络跟踪 (et) 电源,因为电源调制器具有高峰均峰值 (parp)。1图 1 清楚地展示了 et 功率放大器的简单框图。已经引入了不同类型的 et 电源,并且在线性放大器、2,3开关4-7和线性辅助开关转换器中进一步指定了它们。8,9测量高达 20 mhz 的大信号带宽通常由单相或多相5降压转换器跟踪,专门用于具有 4g lte 的基站。在这种情况下,一个常见问题与在高频下处理更高的直流电压有关。本文讨论并介绍了用于 et 的两相三电平降压转换器及其各种优点。高开关频率具有较少的关断开关损耗,这使得这种设计适用于 parp et 电源和更高的带宽。本文还解释了所提议转换器的操作和设计。请在此处找到原始 ieee 论文。
图1:et电源设计
图 2 清楚地表示了两相三电平降压转换器和 et 应用的 zvs 四阶输出滤波器的功率级架构。rfpa 的行为可从电阻负载 rl 得知。5图 3 和图 4 表示在 v in /2处正确控制快速电容器两端的电压,即每相的开关节点电压,在0 < d < 0.5 时在 0 和 v in /2之间切换,并且在v in /2 和 v in为 0.5 < d < 1。1已经注意到,与器件开关频率相比,总电流 i t 中存在 4 倍纹波频率这最终导致增强的开环转换器带宽和尺寸减小的滤波器。1
图2:两相三电平降压电路图
图 3:转换器在 0 < d < 0.5 时的波形
图 4:转换器在 0.5 < d < 1 时的波形
设备选择
选择 epc800 系列egan fet 10,11背后的一个原因在于其优势在于具有超小尺寸、零反向恢复率和较低的开关损耗。图 5 和图 6 清楚地表明,在高达 50 mhz 的更高开关频率下,与传统对应物相比,最大额定功率为 115 w 的拟议三级设计的效率更高。1低侧 mosfet (lsm) 包括顶部两个器件 s 1x和 s 2x,它们将电感器 l 1连接到输入直流总线/电容器正极端子,称为高侧 mosfet (hsm),以及底部两个器件 s 3x和 s 4x将电感器l 1连接到飞跨电容器的地/负端子。在低端器件的栅极信号中引入适当的延迟有助于 lsm 的 zvs 开启。1由于在寄生电容的器件上充电/放电的负导体电流稀缺,因此在高侧器件的导通过程中会注意到耗散。如果峰峰值纹波电流的设计和承载方式是平均电流值的两倍,则将实现 hsm 的 zvs 导通。l1 肯定有助于平衡相电流,而无需任何电流控制回路的帮助。1 表 1 显示了四阶 zvs 滤波器组件的负载电阻为 6.6 ω 的值。借助 thevenis 和叠加原理,两相三电平降压转换器的简化电路如图所示7.
图 5:传统两电平降压的开关频率和效率比较
图 6:三电平降压开关频率和效率对比
图 7:建议的两相三电平降压的等效电路
结果与分析
图 8 显示了 plecs 仿真环境中两相三电平降压转换器的开关节点电压和电感器电流的 20 mhz 带宽的 et 信号。1根据输入包络命令的值,已注意到开关节点电压中的开关为 (1) 0 v 和 15 v 或 (2) 15 v 和 30 v。因此,在gan mosfet 两端的电压应力与输入电压的比较。1值得注意的是,转换器在 115 w 时的峰值效率为 97.5%,平均功率为 26 w 时的平均频率为 94.5%。建议的设计显示 10-db parp 和高于 90% 的效率。1
图 8:20 mhz 时两相三电平降压的开关节点电压和电感器电流
结论和未来范围
本文介绍了具有更高带宽 et 应用的两相三电平降压转换器的设计。20 mhz lte 包络信号的跟踪是通过设计 zvs 低通滤波器获得的,并且在多相降压转换器中也完成了固有相位的维护和电流的平衡。对于给定的设计额定值和 parp,与两电平降压选项相比,提出的两相三电平降压转换器在平均功率方面表现出更好的效率。所提出的两相三电平降压转换器的可扩展性要高得多,并且可用于大功率 et 应用。与此同时,他们有能力实现更高的带宽和 parp。仿真结果提供了概念和操作的证明。
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