灿芯半导体推出第二代DDR低功耗物理层IP
近日，国际领先的定制化芯片（asic）设计方案提供商及ddr控制器和物理层ip供应商——灿芯半导体（上海）有限公司（以下简称“灿芯半导体”）对外宣布推出基于smic40ll工艺的第二代ddr低功耗物理层ip，该ip与第一代的低功耗ddr phy相比面积减少20%，功耗减少37%，物理实现时间减少50%。
第二代ddr低功耗物理层ip采用先进的双排io结构，并采用了多项逻辑和物理的优化手段，延迟线面积减少20%，减少了每个dq/dqs的时延误差， 消除了之前物理实现的蛇形走线及每个dq上不同数目的或者不同推力的缓冲器等问题，进而提高了硅利用率，提高了ddr的速度，并且减少了功耗。
第二代ddr低功耗物理层ip具有如下特性：
■ 基于smic 40ll工艺
■ 支持ddr3/3l/3u/lpddr3 1333mbps，ddr2/lpddr2 1066mbps
■ 支持phy evaluation training或者 software training模式
■ 支持rd dqs下降沿training模式
■ 支持ahb/apb3.0寄存器接口
“灿芯半导体具有10年的芯片设计经验和丰富的ddr ip技术积累，灿芯的youphy-ddr ip覆盖smic28hkmg、smic 40ll、smic 55ll、130nm等工艺， 20多颗含有灿芯ddr ip的芯片成功流片，涉及dtv、ap 、导航、ssd及nvdimm等诸多应用领域，得到客户的充分肯定，”灿芯半导体首席技术官庄志青说，“我们将不断进行架构创新，提高服务质量，改进实现流程，从而为客户提供更有竞争力的解决方案。”
据了解，灿芯半导体（上海）有限公司，是一家国际领先的定制化芯片（asic）设计方案提供商及ddr控制器和物理层ip供应商，定位于55nm/40nm/28nm以下的高端系统级芯片（soc）设计服务与一站式交钥匙（turn-key）服务。灿芯半导体为客户提供从源代码或网表到芯片成品的一站式服务，并致力于为客户复杂的asic设计提供一个高性价比、低风险的完整的芯片整体解决方案。
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