前段集成工艺（FEOL）-4
补偿侧墙 （offset spacer）和n/p 轻摻杂漏极 (n / pldd)工艺
补偿侧墙和 n/p 轻摻杂漏极工艺示意图如图 所示。
首先沉积一薄层氮化硅或氮氧化硅（通常约2nm），然后进行回刻蚀（etch-back)，在栅的侧壁上形成一个薄层侧墙(spacer)。在补偿侧墙刻蚀后，剩下的氧化层厚度约为 2nm。 在硅表面保留的这一层氧化层，在后续每步工艺中将发挥重要的保护作用。补偿侧墙用于隔开和补偿由于 ldd 离子注入（为了减弱短沟道效应）引起的横向扩散，对于 45nm/28nm 或更先进的节点，这一步是必要的。 然后分别对n-mos和 p-mos 进行轻掺杂漏极（ldd）离子注入。完成离子注入后，用尖峰退火(spike anneal)技术去除缺陷并激活 ldd 注入的杂质。nldd 和pldd离子注入的顺序、能量、剂量，以及尖峰退火或 rta 的温度，对晶体管的性能都有重要的影响。
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