MOS管AB间电阻是多少？
一道问题
如上图所示，小明问：该电路，在a-b点间测量电阻，阻值应该是多少？
具体电路如上图所示，你觉得应该是都是？最好能说出你的理由。
第一回合：众说纷纭
起初，小明抛出问题后，群里讨论的很热闹，众说纷纭。有说一两百的，有说几百的，也有说510+rdson，当然也有质疑通电不应该测电阻的……
当然，我也给出了“自以为的正确”答案：
①首先，明确题目所给条件不够充分，没有明确该mos管的vth。不确定栅极分压后的2.5v，是否大于开启电压vth；
②其次，按照常规应用的思路，漏极不应该悬空，应该接有电压。这个电压会影响mos管所处的工作区。
其实，按常理说我提的第二条也没毛病。漏极电压确实会影响mos管的工作状态。不清楚的同学可以翻看上一篇文章《mos管的米勒效应(4)--文末彩蛋，求锤》中的“mos管３种工作状态”小节。
但是，注意题目设定就是这样。人家就是要漏极悬空，就是这么任性！
第二回合：意见聚拢
通过第一回合的讨论，小明同学觉得有必要释放一些关键信息。如下图，给出mos管的vth参数典型值为1.2v，即栅极2.5v的分压是足够的。
在排除了vgs这就像我们的生活，没有那么多的应该和不应该，没有那么多的如果和假如，有的只是现实。我们所能做的就是接受现实，并努力去改变，去提升！
这道题的题目设定就是悬空，那就需要按照悬空来考虑。而不是说，应该给漏极加电源。这里，我和其他同学一样，进入了误区，而且还不自知！
第三回合：揭晓谜底
小明见我们讨论的方向要跑偏，把这个问题换一种问法：漏极（a端）不加电压，mos管导通不了？
自以为正确的我，此刻还在反问。小明此时给出了答案，a端悬空，mos管可以导通。
此刻，我恍然大悟！这不就是在《rdson对应mos管的哪个工作区？》（点击文章标题可直接访问）文章中讨论的抛开漏源电压vds，研究栅源电压vgs对导电沟道宽度的控制作用么？
在这个过程中，在vgs驱动下，反型层已形成，导电沟道已存在。vgs加大，导电沟道宽度增加；vgs减小，沟道宽度就减小。栅源电压vgs对导电沟通到宽度有控制作用。而这个导电沟道就表现为一个电阻特性：vgs变化，电阻变化；vgs不变，电阻不变。
所以，这道题的正确答案应该是510+rdson(ω)。
仿真数据
上面的讨论，如果你觉得到此就结束，那你可能不太了解硬件微讲堂的调性，咱们给出的结论必须要有数据支撑，所以仿真走一波！
如上图，先搭建个电路。r3(510ω)左侧悬空，栅极由一个5v的电压源做(10k/10k)分压。a-b两端挂一个欧姆表zm1。
仿真电路搭建好后，开始仿真。在“t&m”--选择“万用表”--选择“ohm”档，在input会自动跳出来zm1+和zm1-。可是，结果怎么是“600.61kohm”？
哪里出问题了？
经过分析，原来是我选择的mos管的vth超过了2.5v。经过一番搜索，在器件库里没有找到vth低于2.5v的mos管，于是就把栅极挂的电压从5v调整为8v。
再次进行仿真，欧姆表读数为510.28ohm，符合理论分析。
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当然，我也给出了“自以为的正确”答案：
①首先，明确题目所给条件不够充分，没有明确该mos管的vth。不确定栅极分压后的2.5v，是否大于开启电压vth；
②其次，按照常规应用的思路，漏极不应该悬空，应该接有电压。这个电压会影响mos管所处的工作区。
其实，按常理说我提的第二条也没毛病。漏极电压确实会影响mos管的工作状态。不清楚的同学可以翻看上一篇文章《mos管的米勒效应(4)--文末彩蛋，求锤》中的“mos管３种工作状态”小节。
但是，注意题目设定就是这样。人家就是要漏极悬空，就是这么任性！
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在排除了vgs
这道题的题目设定就是悬空，那就需要按照悬空来考虑。而不是说，应该给漏极加电源。这里，我和其他同学一样，进入了误区，而且还不自知！
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