SiC769 Vishay新款DrMOS器件适用于电压稳压器
sic769 vishay新款drmos器件适用于电压稳压器
日前，vishay intertechnology, inc.宣布，推出一款在一个powerpak mlf6x6封装内集成drmos解决方案的器件sic769，该器件同时提供了高压侧和低压侧的n沟道mosfet，外加全功能的mosfet驱动器ic。sic769分别提供针对3.3v和5v控制器的两个型号，完全符合服务器和桌面计算机、图形卡、工作站、游戏控制台和其他高功率的cpu系统中电压稳压器的drmos规范。器件使操作频率可超过1mhz，从而降低多相vr拓扑的尺寸和成本。
sic769采用3v～16v的输入电压，可输出最高达35a的连续输出电流。集成的功率mosfet对0.8v～2.0v的输出电压进行了优化，标称输入电压为12v。sic769还可以在5v输出下，为asic应用提供非常高的功率。 sic769先进的栅极驱动ic接收来自vr控制器的一个pwm输入，把它转换成高压侧和低压侧mosfet栅极驱动信号。pwm输入与所有的控制器兼容，尤其是支持带有三态pwm输出功能的控制器。驱动ic中的电路能够自动探测轻负载情况，然后自动启动系统中的跳频模式操作(smod)，该模式可提高轻负载条件下的效率。自适应的死区时间控制能够进一步地提高效率。保护功能包括uvlo、击穿保护，热报警功能可在结温过高时对系统发出报警信号。 sic769中集成的驱动ic和功率mosfet降低了功率损耗，减轻了与高频分立功率级相关的寄生阻抗的影响。sic769还采用了先进的封装，与竞争技术相比，将封装中的功率损耗减少了30%。设计者可以对高频开关进行优化，改善瞬态响应，节约输出滤波器器件的成本，并实现在多相vcore应用中最高的功率密度。这样可以节约pcb面积，为使用者的核心竞争技术提供更多的施展空间。 sic769现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十周。
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