博捷芯划片机：主板控制芯片组采用BGA封装技术的特点
博捷芯划片机：主板控制芯片组采用bga封装技术的特点
目前主板控制芯片组多采用此类封装技术，材料多为陶瓷。采用bga技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下，内存容量提高两到三倍，bga与tsop相比，具有更小体积，更好的散热性能和电性能。
两种bga封装技术的特点
bga封装内存：bga封装的i/o端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，bga技术的优点是i/o引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但bga能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。
tinybga封装内存：采用tinybga封装技术的内存产品在相同容量情况下体积只有tsop封装的1/3。tsop封装内存的引脚是由芯片四周引出的，而tinybga则是由芯片中心方向引出。这种方式有效地缩短了信号的传导距离，信号传输线的长度仅是传统的tsop技术的1/4，因此信号的衰减也随之减少。这样不仅大幅提升了芯片的抗干扰、抗噪性能，而且提高了电性能。
基板或中间层是bga封装中非常重要的部分，除了用于互连布线以外，还可用于阻抗控制及用于电感/电阻/电容的集成。因此要求基板材料具有高的玻璃转化温度rs(约为175~230℃）、高的尺寸稳定性和低的吸潮性，具有较好的电气性能和高可靠性。金属薄膜、绝缘层和基板介质间还要具有较高的粘附性能。
三大bga封装工艺及流程
一、引线键合pbga的封装工艺流程
1、pbga基板的制备
在bt树脂/玻璃芯板的两面层压极薄（12~18μm厚）的铜箔，然后进行钻孔和通孔金属化。用常规的pcb加3232艺在基板的两面制作出图形，如导带、电极、及安装焊料球的焊区阵列。然后加上焊料掩膜并制作出图形，露出电极和焊区。为提高生产效率，一条基片上通常含有多个pbg基板。
2、封装工艺流程
圆片减薄→圆片切削→芯片粘结→等离子清洗→引线键合→等离子清洗→模塑封装→装配焊料球→回流焊→表面打标→分离→最终检查→测试斗包装。
二、fc-cbga的封装工艺流程
1、陶瓷基板
fc-cbga的基板是多层陶瓷基板，它的制作是相当困难的。因为基板的布线密度高、间距窄、通孔也多，以及基板的共面性要求较高等。它的主要过程是：先将多层陶瓷片高温共烧成多层陶瓷金属化基片，再在基片上制作多层金属布线，然后进行电镀等。在cbga的组装中，基板与芯片、pcb板的cte失配是造成cbga产品失效的主要因素。要改善这一情况，除采用ccga结构外，还可使用另外一种陶瓷基板--hitce陶瓷基板。
2、封装工艺流程
圆片凸点的制备->圆片切割->芯片倒装及回流焊->底部填充导热脂、密封焊料的分配->封盖->装配焊料球->回流焊->打标->分离->最终检查->测试->包装。
三、引线键合tbga的封装工艺流程
1、tbga载带
tbga的载带通常是由聚酰亚胺材料制成的。在制作时，先在载带的两面进行覆铜，然后镀镍和镀金，接着冲通孔和通孔金属化及制作出图形。因为在这种引线键合tbga中，封装热沉又是封装的加固体，也是管壳的芯腔基底，因此在封装前先要使用压敏粘结剂将载带粘结在热沉上。
2、封装工艺流程
圆片减薄→圆片切割→芯片粘结→清洗→引线键合→等离子清洗→液态密封剂灌封→装配焊料球→回流焊→表面打标→分离→最终检查→测试→包装。
bga封装流行的主要原因是由于它的优势明显，封装密度、电性能和成本上的独特优点让其取代传统封装方式。随着时间的推移，bga封装会有越来越多的改进，性价比将得到进一步的提高，bga封装有灵活性和优异的性能，未来前景广阔。
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tinybga封装内存：采用tinybga封装技术的内存产品在相同容量情况下体积只有tsop封装的1/3。tsop封装内存的引脚是由芯片四周引出的，而tinybga则是由芯片中心方向引出。这种方式有效地缩短了信号的传导距离，信号传输线的长度仅是传统的tsop技术的1/4，因此信号的衰减也随之减少。这样不仅大幅提升了芯片的抗干扰、抗噪性能，而且提高了电性能。
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一、引线键合pbga的封装工艺流程
1、pbga基板的制备
在bt树脂/玻璃芯板的两面层压极薄（12~18μm厚）的铜箔，然后进行钻孔和通孔金属化。用常规的pcb加3232艺在基板的两面制作出图形，如导带、电极、及安装焊料球的焊区阵列。然后加上焊料掩膜并制作出图形，露出电极和焊区。为提高生产效率，一条基片上通常含有多个pbg基板。
2、封装工艺流程
圆片减薄→圆片切削→芯片粘结→等离子清洗→引线键合→等离子清洗→模塑封装→装配焊料球→回流焊→表面打标→分离→最终检查→测试斗包装。
二、fc-cbga的封装工艺流程
1、陶瓷基板
fc-cbga的基板是多层陶瓷基板，它的制作是相当困难的。因为基板的布线密度高、间距窄、通孔也多，以及基板的共面性要求较高等。它的主要过程是：先将多层陶瓷片高温共烧成多层陶瓷金属化基片，再在基片上制作多层金属布线，然后进行电镀等。在cbga的组装中，基板与芯片、pcb板的cte失配是造成cbga产品失效的主要因素。要改善这一情况，除采用ccga结构外，还可使用另外一种陶瓷基板--hitce陶瓷基板。
2、封装工艺流程
圆片凸点的制备->圆片切割->芯片倒装及回流焊->底部填充导热脂、密封焊料的分配->封盖->装配焊料球->回流焊->打标->分离->最终检查->测试->包装。
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1、tbga载带
tbga的载带通常是由聚酰亚胺材料制成的。在制作时，先在载带的两面进行覆铜，然后镀镍和镀金，接着冲通孔和通孔金属化及制作出图形。因为在这种引线键合tbga中，封装热沉又是封装的加固体，也是管壳的芯腔基底，因此在封装前先要使用压敏粘结剂将载带粘结在热沉上。
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