一种基于GaN的超高效功率模块
氮化镓(gan)功率半导体技术为提高rf/微波功率放大的性能水平作出了巨大贡献。通过降低器件的寄生参数，以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压，gan晶体管已实现更高的输出功率密度、更宽的带宽和更好的dc转rf效率。
前不久，hangzhou zhongheng electric co., ltd（hzzh）就利用transphorm的tph3205ws-gan器件成功开发出一种基于gan的超高效功率模块。
transphorm tph3205wsbqa （图片来源：transphorm）
3kw zhr483ks采用transphorm的gan器件，效率达到98%，成为迄今为止电信行业效率最高的gan驱动模块。原始设计制造商（odm）可以将提供标准化输出连接器配置的zhr483ks与现有的同功率模块交换，从而以较低的总体系统成本实现高可靠性、高性能解决方案。
高可靠、高性价比助力打造电信行业新标杆
zhr483ks是hzzh首个基于gan的功率解决方案，也是新产品线的龙头产品。该模块的输入电压范围为85伏至264伏，而其输出电压范围为42伏至58伏。transphorm的tph3205ws-gan器件用于交错无桥图腾式pfc，以实现98%的半负载效率。gan器件降低了功率模块的开关损耗和驱动损耗，因此zhr483ks的性能优于以前使用超级结硅mosfet的模块。
hzzh首席技术官guo博士表示：“我们在寻找一种功率晶体管，帮助我们为客户开发一种更高效、更具成本效益的解决方案。我们曾考虑碳化硅器件，但在低电压条件下无法达到预期优势。然后，我们审查了几家gan制造商的器件，最终鉴于可靠性、器件成本和实现简单，我们选择了transphorm的gan场效应晶体管（fet）。”
四大关键因素挖掘宽广gan“护城河”
transphorm的gan fet是一种双芯片增强型场效应晶体管，可采用标准的to-xxx封装和普通现成驱动器驱动的pqfn模块。当前的gen iii系列提供了gan半导体行业最高阈值电压（4v）和最高门稳健性（±20v）。因此，客户能够轻松地设计出高可靠性的gan解决方案，以实现该技术的高功率密度优势。
transphorm亚洲区销售副总裁kenny yim说：“transphorm在开发每一代gan平台时都考虑了四个关键因素：可靠性、可驱动性、可设计性和可重复性。hzzh认为，我们的客户打破市场需要这四个因素，因此选择我们作为其gan合作伙伴，于此，我们感到自豪。正是此次合作，我们的gan被设计成各种不同的多千瓦电力系统，创造了行业记录。我们预计，随着我们未来在产品上的继续合作，hzzh将继续创新。”
zhr483ks目前正在生产中。
关于transphorm
富士通电子旗下代理品牌 transphorm，是一家设计、生产氮化镓功率转换器和模块的企业。 2007年成立，transphorm以美国加州大学圣塔芭芭拉分校的教授和研究人员为主体，致力于设计、生产gan（氮化镓）功率转换器和模块，已获得了包括谷歌、富士通、凯鹏华盈、考菲尔德及拜尔斯、索罗斯基金管理公司、量子战略合作伙伴在内的众多投资机构的青睐。 2013年，transphorm推出了当时业内唯一经过jedec认证的gan器件，建立了业界第一个也是唯一通过jedec认证的600v gan产品线。 2014年2月，transphorm与富士通半导体的功率器件业务部进行了业务合并，transphorm负责设计、富士通半导体负责制造并代理销售。 2015年，transphorm和安森美建立合作关系，共同推出基于gan的电源方案。公司创立十多年来，transphorm一直专注于将高压gan fet推向市场。致力于为电力电子市场（数据中心服务器、pv转换器、感应/伺服电机、工业及汽车等商业供电市场）设计、制造和销售gan产品。 2017年3月，又推出了市场上仅有的一款经过aec-q101认证的650v车用gan器件。
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transphorm tph3205wsbqa （图片来源：transphorm）
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zhr483ks目前正在生产中。
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