DS1225AB及DS1225AD全静态非易失(NV) SR
ds1225ab及ds1225ad为65,536位、全静态非易失(nv) sram，按照8位、8192字排列。每个nv sram均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视vcc是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。nv sram可以用来直接替代现有的8k x 8 sram，符合通用的单字节宽、28引脚dip标准。这些器件还与2764 eprom及2864 eeprom的引脚排列匹配，可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
关键特性
在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
掉电期间数据被自动保护
直接替代8k x 8易失静态ram或eeprom
没有写次数限制
低功耗cmos操作
jedec标准的28引脚dip封装
70ns的读写存取时间
第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
±10% vcc工作范围(ds1225ad)
可选择±5% vcc工作范围(ds1225ab)
可选的-40°c至+85°c工业级温度范围，指定为ind
通过美国保险商实验室协会(ul)认证
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