什么是JFET？什么是MOSFET？JFET和MOSFET的比较
jfet的全称为结型场效应晶体管，mosfet的全称为金属氧化物半导体场效应晶体管。耗尽型mosfet与jfet均属于电压控制型场效应晶体管（fet），场效应晶体管通过电场来控制导电沟道的电导率。应用场景包括rf技术、电路开关、功率控制以及放大电路。在放大电路中主要用于放大弱信号，包括无线信号、模拟信号以及数字信号。两者在工作原理上非常相似，但是它们的特性略有不同。
接下来让我们详细介绍一下这两类元器件。
什么是jfet？
jfet是最简单的场效应晶体管，电流可以从源极流到漏极，或者从漏极流到源极。与双极结型晶体管（bjt）不同，jfet使用施加到栅极端子的电压来控制流过漏极和源极之间通过的电流，因此输出电流与栅极输入电压成比例。当栅极被施加一定的反偏电压时，jfet的沟道会关断。jfet可作为电子开关、电阻器、放大器来使用。它的输入和输出端之间被高度隔离，这使其比双极结型晶体管更加稳定。
jfet又包括n沟道jfet和p沟道jfet，对于n沟道jfet，其漏极和源极之间的载流子为电子，对应的关断电压为负值，其具有比p沟道jfet更低的电阻。对于p沟道jfet，其沟道的载流子为空穴，对应的关断电压为正值。它具有比n沟道同类产品更高的电阻值。
什么是mosfet？
mosfet是金属氧化物半导体场效应晶体管。由一个绝缘的金属氧化物薄膜和一个金属电极组成，所施加的电压决定了器件的电导率。栅极通过金属氧化物薄层与源极和漏极通道之间的通道电绝缘。
mosfet的主要优点包括高输入阻抗、低功耗、稳定性好以及可以实现大功率放大等。因此，它在电子电路中得到广泛应用，例如作为开关、放大器，以及用于构建数字逻辑门和存储器等。
耗尽型mosfet与jfet器件具有相同的normally-on特性，这是耗尽型mosfet可以在变送器的ad421供电与保护中替代jfet的基础。
将两种器件的电性特性进行比较，耗尽型mosfet的优势在于：
1耐压更高。si基jfet器件的耐压一般在10v～50v，更高耐压的jfet器件只能用sic基实现（目前不普及），因此jfet在应用上会受到很大的限制，而si基耗尽型mosfet的耐压参数可以做到10v～1700v。在常见的220v市电和380v工业用电场景的normally on应用中，耐压为 600v和1000v的系列产品有着广泛的需求，而si基jfet器件的耐压无法满足需求，耗尽型mosfet成为了唯一的选择。此外，高耐压的耗尽型mosfet对于瞬态浪涌干扰也有非常好的抑制作用。
2泄漏电流更小。通常jfet的栅极泄漏电流比耗尽型mosfet的栅极泄漏电流高出3个数量级，此外，耗尽型mosfet还具有极低的漏-源泄露电流，能有效降低静态功耗，非常有利于降低整机功耗。此外，栅极漏电流对jfet的开关速度也有一定影响，栅极漏电流较大时，可能导致响应时间和恢复时间增加，从而影响开关速度。因此，mosfet自身漏电流更低，反应速度更快，对浪涌或瞬态干扰的保护更灵敏有效。
3输入阻抗更大。jfet的输入阻抗远低于mosfet输入阻抗，因为mosfet结构中氧化物绝缘体（栅氧化物）的存在，使得耗尽型mosfet在栅极端的阻抗更高。对于电压驱动的fet器件，输入阻抗越大，对电压源的负载就越轻，因而就越容易驱动。
而jfet对比于耗尽型mosfet的优势在于：
jfet相对于耗尽型mosfet，更不容易受到esd的损坏。原因是耗尽型mosfet为绝缘栅结构，其额外的金属氧化物绝缘体会降低栅极的电容，对esd更加敏感，容易被静电击穿。因此，耗尽型mosfet在多数应用中，esd保护功能的设计会显得尤为重要。
升级换代的首选器件
综上所述，耗尽型mosfet具备与jfet相似的电性特点，且在大多数方面性能更优，是电路升级换代的首选器件！
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jfet又包括n沟道jfet和p沟道jfet，对于n沟道jfet，其漏极和源极之间的载流子为电子，对应的关断电压为负值，其具有比p沟道jfet更低的电阻。对于p沟道jfet，其沟道的载流子为空穴，对应的关断电压为正值。它具有比n沟道同类产品更高的电阻值。
什么是mosfet？
mosfet是金属氧化物半导体场效应晶体管。由一个绝缘的金属氧化物薄膜和一个金属电极组成，所施加的电压决定了器件的电导率。栅极通过金属氧化物薄层与源极和漏极通道之间的通道电绝缘。
mosfet的主要优点包括高输入阻抗、低功耗、稳定性好以及可以实现大功率放大等。因此，它在电子电路中得到广泛应用，例如作为开关、放大器，以及用于构建数字逻辑门和存储器等。
耗尽型mosfet与jfet器件具有相同的normally-on特性，这是耗尽型mosfet可以在变送器的ad421供电与保护中替代jfet的基础。
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1耐压更高。si基jfet器件的耐压一般在10v～50v，更高耐压的jfet器件只能用sic基实现（目前不普及），因此jfet在应用上会受到很大的限制，而si基耗尽型mosfet的耐压参数可以做到10v～1700v。在常见的220v市电和380v工业用电场景的normally on应用中，耐压为 600v和1000v的系列产品有着广泛的需求，而si基jfet器件的耐压无法满足需求，耗尽型mosfet成为了唯一的选择。此外，高耐压的耗尽型mosfet对于瞬态浪涌干扰也有非常好的抑制作用。
2泄漏电流更小。通常jfet的栅极泄漏电流比耗尽型mosfet的栅极泄漏电流高出3个数量级，此外，耗尽型mosfet还具有极低的漏-源泄露电流，能有效降低静态功耗，非常有利于降低整机功耗。此外，栅极漏电流对jfet的开关速度也有一定影响，栅极漏电流较大时，可能导致响应时间和恢复时间增加，从而影响开关速度。因此，mosfet自身漏电流更低，反应速度更快，对浪涌或瞬态干扰的保护更灵敏有效。
3输入阻抗更大。jfet的输入阻抗远低于mosfet输入阻抗，因为mosfet结构中氧化物绝缘体（栅氧化物）的存在，使得耗尽型mosfet在栅极端的阻抗更高。对于电压驱动的fet器件，输入阻抗越大，对电压源的负载就越轻，因而就越容易驱动。
而jfet对比于耗尽型mosfet的优势在于：
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升级换代的首选器件
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