场效应管特点
场效应管特点
1.场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流,应此对于信号源额定电流极小的情况下，常选用场效应管。
2.场效应管是多子导电,晶体管是两种载流子参与导电。但少子受环境影响明显。
3.场效应管fet和晶体管bjt一样具有放大作用，而且这两种放大元件间存在着电极对应关系g-b，s-e，d-c。因此根据bjt电路，即可得到与之对应的fet放大电路。但不能简单地加以替换，否则有时电路不能正常工作。场效应除作放大器件及可控开关外还可作压控可变线性电阻使用。
4.场效应管s极和d极是对称的，可以互换使用，耗尽型mos管栅源电压可正可负使用比晶体三极管灵活。
5.场效应管组成放大电路时与晶体管一样，必须选择合适的静态工作点，栅极必须有合适的偏压，但不出现偏流，对不同类型场效应管对偏压的极性要求不同，特列如下：
类型
vgs
vds
类型
vgs
vds
n沟道jfet
负
正
p沟道jfet
正
负
n沟道emos
正
正
p沟道emos
负
负
n沟道dmos
正/负
正
p沟道dmos
正/负
负
注：jfet表示结型场效应管，dmos表示耗尽型场效应管；emos表示增强型场效应管。
自给偏压电路
如图，为自给偏压电路。电容对rs起旁路作用——源极旁路电容。
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自给偏压电路
注：增强型场效应管（mosfet）只有g—s间电压先达到某个开启电压vt时才有id，所以自偏压不适用于增强型mosfet。
分析：当is流过rs时产生vs压降对地是负值。所以，vgs=vg-vs=-isrs=-idrs
问题是：vgs决定于id而id又随vgs变化而变化，如何能确定id、vgs之值呢？下面内容介绍两种解法。
图解法
步骤：
（1）作直流负载线（从输出回手）
直流负载线于输出特性曲线的不同vgs的交点，即管子内部方程与输出回路方程的联立解，表明电路中id，vds，vgs的数值必在这些交点上。
(2)利用直流负载线上的点作转移特性曲线。
（3）定静态工作点q（从g极回路入手）因q还应满足输入回路，所以作输入回路的直流负载线vgs=-idrs，如图。
（4）代入数据，得q：vgs，vds，id
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计算法
计算法采用下列公式求解:
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式子的idss称为饱和电流，即为vgs=0时id的值；vp称为夹断电压，当vgs=vp时，漏极电流id为0。
让我们来看一个例子,电路如图.
已知:vp=-4v ，idss=2ma。代入上述两个公式得：
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求解此两方程,解得：id1=0.82ma,id2=0.30ma
因为-id1rs
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jfet
mosfet
n 沟
道
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p 沟
道
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3.场效应管fet和晶体管bjt一样具有放大作用，而且这两种放大元件间存在着电极对应关系g-b，s-e，d-c。因此根据bjt电路，即可得到与之对应的fet放大电路。但不能简单地加以替换，否则有时电路不能正常工作。场效应除作放大器件及可控开关外还可作压控可变线性电阻使用。
4.场效应管s极和d极是对称的，可以互换使用，耗尽型mos管栅源电压可正可负使用比晶体三极管灵活。
5.场效应管组成放大电路时与晶体管一样，必须选择合适的静态工作点，栅极必须有合适的偏压，但不出现偏流，对不同类型场效应管对偏压的极性要求不同，特列如下：
类型
vgs
vds
类型
vgs
vds
n沟道jfet
负
正
p沟道jfet
正
负
n沟道emos
正
正
p沟道emos
负
负
n沟道dmos
正/负
正
p沟道dmos
正/负
负
注：jfet表示结型场效应管，dmos表示耗尽型场效应管；emos表示增强型场效应管。
自给偏压电路
如图，为自给偏压电路。电容对rs起旁路作用——源极旁路电容。
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自给偏压电路
注：增强型场效应管（mosfet）只有g—s间电压先达到某个开启电压vt时才有id，所以自偏压不适用于增强型mosfet。
分析：当is流过rs时产生vs压降对地是负值。所以，vgs=vg-vs=-isrs=-idrs
问题是：vgs决定于id而id又随vgs变化而变化，如何能确定id、vgs之值呢？下面内容介绍两种解法。
图解法
步骤：
（1）作直流负载线（从输出回手）
直流负载线于输出特性曲线的不同vgs的交点，即管子内部方程与输出回路方程的联立解，表明电路中id，vds，vgs的数值必在这些交点上。
(2)利用直流负载线上的点作转移特性曲线。
（3）定静态工作点q（从g极回路入手）因q还应满足输入回路，所以作输入回路的直流负载线vgs=-idrs，如图。
（4）代入数据，得q：vgs，vds，id
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计算法
计算法采用下列公式求解:
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式子的idss称为饱和电流，即为vgs=0时id的值；vp称为夹断电压，当vgs=vp时，漏极电流id为0。
让我们来看一个例子,电路如图.
已知:vp=-4v ，idss=2ma。代入上述两个公式得：
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求解此两方程,解得：id1=0.82ma,id2=0.30ma
因为-id1rs
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jfet
mosfet
n 沟
道
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