电源之LDO-7. LDO的电流相关
ldo的电流相关内容包括如下几种，静态电流iq、接地电流ignd、关断电流、电流限制、防止反向电流等。
wxgzh：硬件之路学习笔记
①静态电流iq
静态电流 iq是指当外部负载电流为零时为ldo 的内部电路供电所需的电流，它包括带隙基准电压源、误差放大器、输出分压器以及过流和过温检测等电路的工作电流。静态电流由拓扑结构、输入电压和温度确定。
ldo消耗功率pd=（vin-vout）* iout+（vin * iq）
在待机模式中，静态电流甚至会占功耗的百分之五十以上，虽然其值不大，但是在一些低功耗设计中，如智能手表、手环等这个消耗就非常重要了。
②接地电流ignd
接地电流ignd是指输入电流与输出电流之差，并且必然包括静态
电流iq。一般的ldo接地电流在几个毫安级别。
效率 =iout/(iout+ignd) ×vout/vin× 100%
以ti的tps7a91为例，若其输入电压6.5v，输出电压3v，输出电流为5ma，则其ignd约为2ma，即效率不会高于36%，在低功耗应用中，这个效率非常低下。
③ 关断电流
关断电流是指输出被禁用时（受ldo控制，区别于负载断开的情况）ldo 消耗的输入电流。输出被禁用时，部分内部电路不再消耗功率，所以关断电流一定小于静态电流。其在低功耗应用中是非常重要的参数。
如下图所示，关断电流与输入电压和温度有关。
④ 电流限制
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一般ldo中都过流关断功能，输出电流到达设定值时就会关断输出。但设定值也会随温度、输出电压等因素有变化，设计的时候需考虑这些因素。如下图1、图2所示。
图1vout&温度对电流限制的影响
图2温度对电流限制的影响
⑤防止反向电流
由于内部mos管存在一个体二极管，当特殊情况下vout大于vin和内部体二极管正向导通压降之和时，电流可能通过体二极管反向流动，造成ldo损坏。
防止出现反向电流的方法有几种，例如在vin与vout之间反并联一个肖特基二极管，由于肖特基二极管正向压降远低于内部体二极管的压降，所以反向电流会先通过外部肖特基二极管流向vin，不会损坏ldo。
图3 vin与vout之间反并联肖特基二极管
也可以在输入端串联肖特基二极管来防止反向电流。
图4 在输入端串联肖特基二极管
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图2温度对电流限制的影响
⑤防止反向电流
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防止出现反向电流的方法有几种，例如在vin与vout之间反并联一个肖特基二极管，由于肖特基二极管正向压降远低于内部体二极管的压降，所以反向电流会先通过外部肖特基二极管流向vin，不会损坏ldo。
图3 vin与vout之间反并联肖特基二极管
也可以在输入端串联肖特基二极管来防止反向电流。
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