Microchip下一代SiC MOSFET和SiCSBD的特性优势及典型应用
随着功率电子市场的发展，传统硅（si）器件的性能已经接近了理论上的“天花板”，因此近年来以氮化镓（gan）和碳化硅（sic）为代表的宽禁带第三代半导体器件的研发日趋活跃。
其中，sic材料的禁带宽度（3.26ev）是si材料的3倍，介电击穿场强是si的10倍，电子饱和速度比si材料高2倍，热导率是si的3倍，这意味着基于sic的功率电子器件可以承受更高的击穿电压，具有更佳的热性能，能够实现更高的开关频率、更高的功率密度、更高的效率，成为下一代功率器件的理想之选。因此，各个半导体厂商围绕sic的推新速度也在加速。
microchip technology的sic半导体器件就是其中的代表作，他们开发的下一代sic mosfet和sicsbd（肖特基势垒二极管），在额定导通电阻或电流下，具有更高的重复性非感性箝位开关 (uis) 能力。其中，sic mosfet在近10－25焦耳/平方厘米 (j/cm2) 时可保持高uis能力和强大的短路保护性能。而sic sbd在低反向电流下具有平衡的浪涌电流、正向电压、热阻和热容额定值，以实现更低的开关损耗。
此外，microchip的sic mosfet和sic sbd芯片还可配对应用于新型的sic模块，且符合aec-q101标准，因此在包括汽车电子在内的诸多高效率、小尺寸、高工作温度的应用中非常适用。
特性优势
极低的开关损耗提高了系统效率
高功率密度，占地面积更小，以减少尺寸和重量
导热性比硅高3倍
减少散热器要求以实现更小尺寸和更轻重量
高温运行提高了高功率密度下的可靠性
microchip久经考验的可靠性/稳健性、供应链和质量支持
典型应用
工业：电机驱动、焊接、ups、smps、感应加热
交通/汽车：电动汽车(ev)电池充电器、车载充电器、混合动力电动汽车(hev) 动力系统、dc-dc转换器、能量回收
智能能源：光伏 (pv) 逆变器、风力涡轮机
医疗：mri电源、x射线电源
商用航空：作动、空调、配电
国防：电机驱动器、辅助电源和集成车辆系统
原文标题：microchip全新sic功率半导体器件：高效率、小尺寸、高温应用，就选它！
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microchip technology的sic半导体器件就是其中的代表作，他们开发的下一代sic mosfet和sicsbd（肖特基势垒二极管），在额定导通电阻或电流下，具有更高的重复性非感性箝位开关 (uis) 能力。其中，sic mosfet在近10－25焦耳/平方厘米 (j/cm2) 时可保持高uis能力和强大的短路保护性能。而sic sbd在低反向电流下具有平衡的浪涌电流、正向电压、热阻和热容额定值，以实现更低的开关损耗。
此外，microchip的sic mosfet和sic sbd芯片还可配对应用于新型的sic模块，且符合aec-q101标准，因此在包括汽车电子在内的诸多高效率、小尺寸、高工作温度的应用中非常适用。
特性优势
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减少散热器要求以实现更小尺寸和更轻重量
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典型应用
工业：电机驱动、焊接、ups、smps、感应加热
交通/汽车：电动汽车(ev)电池充电器、车载充电器、混合动力电动汽车(hev) 动力系统、dc-dc转换器、能量回收
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医疗：mri电源、x射线电源
商用航空：作动、空调、配电
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原文标题：microchip全新sic功率半导体器件：高效率、小尺寸、高温应用，就选它！
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