台积电/GF/联电/中芯国际四大晶圆代工厂市占达85%
报告显示，晶圆代工厂在半导体行业中的排名，有三家可排进半导体前20名。前四大晶圆代工厂台积电、格罗方德、台联电和中芯国际占全球市场总量的85％。其中，台积电独占全球晶圆代工市场59%的份额，格罗方德、联华电子和中芯国际三家合并市场份额占26％。
晶圆代工厂主要有两类客户：fabless公司例如qualcomm、nvidia、xilinx、amd等。idm厂商例如on，st，ti，toshiba等。
semi估计，全球将于2017年～2020年间投产62座半导体晶圆厂，其中26座设于中国大陆，占全球总数的42%。这些建于中国的晶圆厂2017年预计6座投产，2018年7座投产，在未来数年投入资金超3500亿元。
中国大陆2015年投资建设的晶圆厂以外资为多，如英特尔总投资55亿美元在大连，升级原有的大连工厂，生产非易失性存储器;联电投资13.5亿美元在厦门建立月产能6万片的12英寸晶圆代工厂；力晶投资135.3亿元在合肥新区设立月产能4万片的12英寸晶圆代工厂。进入2016年后，中国大陆的半导体投资则以中资为主。
2016年3月28日，以武汉新芯为基础的国家存储器生产基地项目正式动工，主要面向存储器芯片的产品设计、技术研发、晶圆生产与测试，将在5年内投资240亿美元，预计到2020年将形成月产能30万片的生产规模，到2030年将形成每月100万片的产能。2016年7月26日，长江存储科技有限责任公司宣布成立。公司注册资本分两期出资，一期由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北国芯产业投资基金合伙企业（有限合伙）和湖北省科技投资集团有限公司共同出资，并在武汉新芯的基础上建立长江存储。二期将由紫光集团和国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同出资。
同样是在2016年3月28日，南京市政府与台积电正式签署合作协议。台积电将投资30亿美元建设12英寸晶圆厂和ic设计中心，初期月规划产能2万片。2016年7月7日项目举行开工典礼，预计在2018年下半年正式投产16nm制程，将在2019年达到预定产能。
2016年3月29日cmos传感器厂德科玛宣布在江苏淮安建一座小规模12英寸晶圆厂。一期项目8英寸晶圆厂总投资5亿美元，以自主设计的图像传感器芯片制造为主。预计项目投产后产能可达4万片/月。二期项目12英寸晶圆厂总投资20亿美元，投产后产能可达2万片/月。
美国aos公司将投资7亿美元在重庆水土园区建设12英寸功率半导体芯片制造及封测基地，项目于2016年3月30日举行开工活动。美国aos半导体股份有限公司于2000年在美国加州成立总部，主营功率型金属氧化层场效晶体管（power mosfet）。
7月16日，福建省晋华存储器集成电路生产线举行开工仪式。项目一期投资370亿元，计划建设一座存储器研发制造企业，重点发展dram产品，初期将以利基型dram为切入点。
10月份，中芯国际在一个月内连续宣布新厂投资计划，将在上海开工新建一条12英寸生产线，制程为14纳米及以下，月产能7万片，总投资高达675亿元;将天津的8英寸生产线，产能由4.5万片/月，扩大至15万片/月，成为全球单体最大的8英寸生产线;在深圳新建一条12英寸生产线，预期目标产能达到每月4万片。
11月9日，华力微电子二期12英寸高工艺等级生产线项目正式启动，总投资387亿元，规划月产能4万片，设计工艺为28、20和14纳米。
2017年1月13日，在浙江杭州市临安青山湖科技城聚贤街与崇文路交叉口，中电海康存储芯片研发及中试基地项目开工。据悉，该项目投资13亿元，占地50亩，计划今年9月投用；中试运营成功稳定后，后期产业化投资将达到百亿元级规模。
加总上述的设资计划，在未来数年间投入集成电路制造领域的资金将超过3500亿元。在产能建设上，根据国际半导体设备与材料产业协会（semi）发布的报告，目前全球处于规划或建设阶段，预计将于2017年～2020年间投产的半导体晶圆厂约为62座，其中26座设于中国，占全球总数42%。这些建于中国的晶圆厂2017年预计将有6座上线投产，2018年达到高峰，共13座晶圆厂加入营运，其中多数为晶圆代工厂。
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中国大陆2015年投资建设的晶圆厂以外资为多，如英特尔总投资55亿美元在大连，升级原有的大连工厂，生产非易失性存储器;联电投资13.5亿美元在厦门建立月产能6万片的12英寸晶圆代工厂；力晶投资135.3亿元在合肥新区设立月产能4万片的12英寸晶圆代工厂。进入2016年后，中国大陆的半导体投资则以中资为主。
2016年3月28日，以武汉新芯为基础的国家存储器生产基地项目正式动工，主要面向存储器芯片的产品设计、技术研发、晶圆生产与测试，将在5年内投资240亿美元，预计到2020年将形成月产能30万片的生产规模，到2030年将形成每月100万片的产能。2016年7月26日，长江存储科技有限责任公司宣布成立。公司注册资本分两期出资，一期由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北国芯产业投资基金合伙企业（有限合伙）和湖北省科技投资集团有限公司共同出资，并在武汉新芯的基础上建立长江存储。二期将由紫光集团和国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同出资。
同样是在2016年3月28日，南京市政府与台积电正式签署合作协议。台积电将投资30亿美元建设12英寸晶圆厂和ic设计中心，初期月规划产能2万片。2016年7月7日项目举行开工典礼，预计在2018年下半年正式投产16nm制程，将在2019年达到预定产能。
2016年3月29日cmos传感器厂德科玛宣布在江苏淮安建一座小规模12英寸晶圆厂。一期项目8英寸晶圆厂总投资5亿美元，以自主设计的图像传感器芯片制造为主。预计项目投产后产能可达4万片/月。二期项目12英寸晶圆厂总投资20亿美元，投产后产能可达2万片/月。
美国aos公司将投资7亿美元在重庆水土园区建设12英寸功率半导体芯片制造及封测基地，项目于2016年3月30日举行开工活动。美国aos半导体股份有限公司于2000年在美国加州成立总部，主营功率型金属氧化层场效晶体管（power mosfet）。
7月16日，福建省晋华存储器集成电路生产线举行开工仪式。项目一期投资370亿元，计划建设一座存储器研发制造企业，重点发展dram产品，初期将以利基型dram为切入点。
10月份，中芯国际在一个月内连续宣布新厂投资计划，将在上海开工新建一条12英寸生产线，制程为14纳米及以下，月产能7万片，总投资高达675亿元;将天津的8英寸生产线，产能由4.5万片/月，扩大至15万片/月，成为全球单体最大的8英寸生产线;在深圳新建一条12英寸生产线，预期目标产能达到每月4万片。
11月9日，华力微电子二期12英寸高工艺等级生产线项目正式启动，总投资387亿元，规划月产能4万片，设计工艺为28、20和14纳米。
2017年1月13日，在浙江杭州市临安青山湖科技城聚贤街与崇文路交叉口，中电海康存储芯片研发及中试基地项目开工。据悉，该项目投资13亿元，占地50亩，计划今年9月投用；中试运营成功稳定后，后期产业化投资将达到百亿元级规模。
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