降压芯片Rdson常用测量方法的介绍
随着科技的发展，电子产品的快速更新，对于电源管理芯片的要求也越来越高。
更小的封装尺寸
更大的负载电流
更高的工作效率
更低的功率损耗
更低的工作温升
芯片的工作效率就变得尤为重要了。对于dc-dc芯片来说，很大一部分的工作效率的损失来自开关管的导通损耗及开关损耗。当芯片开关上升和下降时间短，开关频率较低时，导通损耗便占了芯片总功耗的很大部分。开关导通阻抗（rdson）的大小决定了导通损耗的大小，所以对于ae而言，精确测量rdson就很重要。
降压芯片rdson常用测量方法的介绍
利用100%占空比测量上管rdson
将芯片fb脚对gnd短路，将r1分压电阻去掉，此时芯片会以100%占空比工作。即上管q1会长开，下管q2会关断，vout近似等于vcc。
vcc供电，在vout与gnd之间拉取电流负载il（电流尽量避免过大，以免温度影响上管rdson阻值），即流过上管q1的电流，电流方向如图1所示。此时测量a点与b点的电压值u并记录（电压测量点必须紧贴芯片引脚端，最大程度减小pcb走线阻抗）
由欧姆定律r=u/i，可以计算出rdson阻值。可以取多组数据，取平均值以减小误差。
注意：此方法只有在芯片上管是pmos，可以100%占空比工作，才适用
利用示波器进行rdson测量
简单估算
示波器3通道探棒接芯片sw脚（探针紧贴sw引脚，接地线紧贴gnd引脚减小pcb走线阻抗），示波器通道4电流探头（型号：tektronixtcp202）测试电感电流。
vcc供电，让芯片工作在pwm电流连续模式，测试通道3和通道4波形。
测试通道3
图中蓝色为sw电压波形，红色为电感电流波形；将黄色标示放大后继续观察波形
测试通道4
通过观察可以发现：当上管导通时sw电压是随电感电流增大而减小的，因此我们可以用以下公式粗略估算上管rdson：
rdson=△vsw/△il
△vsw=va-vb △il=id-ic
同理，此方法亦可粗略估算下管rdson
精确估算
示波器通道1接vin脚（探针紧贴vin引脚，接地线紧贴gnd引脚，减小pcb走线阻抗），示波器3通道探棒接芯片sw脚（探针紧贴sw引脚，接地线紧贴gnd引脚，减小pcb走线阻抗），示波器通道4电流探头（型号：tektronixtcp202）测试电感电流。
vcc供电，让芯片工作在pwm电流连续模式，测试通道3和通道4波形。
测试通道3
图中蓝色为sw电压波形，红色为电感电流波形；黄色为vin电压波形，将绿色标示放大后继续观察波形
测试通道4
通过观察可以发现：
◆当在t1时刻时，pmos两端电压△vmos1=v1-v3，而此时流过上管电流为i1，那么t1时刻，上管rdson1=△vmos1/i1
=（v1-v3）/i1
◆当在t2时刻时，pmos两端电压△vmos2=v2-v4，而此时流过电流为i2，那么t2时刻，上管rdson2=△vmos2/i2
=（v2-v4）/i2
◆由分式合分比定理可以得出
rdson=
即rdson=
对于“利用100%占空比测量上管rdson”的测试，其局限性在于芯片本身可以100%占空比工作；但其测试值误差较小，相对精确（忽略芯片内部绑定线阻抗）。
对于“利用示波器进行rdson测量”测试的简单估算，其测试值误差相对较大，但可以用此方法测试下管rdson。
对于“利用示波器进行rdson测量”测试的精确估算，其测试值误差较小，相对精确（忽略芯片内部绑定线阻抗）；但测试过程相对繁琐，且受限示波器精度影响。
测试rdson时，可根据实际条件灵活测试。
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rdson=△vsw/△il
△vsw=va-vb △il=id-ic
同理，此方法亦可粗略估算下管rdson
精确估算
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图中蓝色为sw电压波形，红色为电感电流波形；黄色为vin电压波形，将绿色标示放大后继续观察波形
测试通道4
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◆当在t1时刻时，pmos两端电压△vmos1=v1-v3，而此时流过上管电流为i1，那么t1时刻，上管rdson1=△vmos1/i1
=（v1-v3）/i1
◆当在t2时刻时，pmos两端电压△vmos2=v2-v4，而此时流过电流为i2，那么t2时刻，上管rdson2=△vmos2/i2
=（v2-v4）/i2
◆由分式合分比定理可以得出
rdson=
即rdson=
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对于“利用示波器进行rdson测量”测试的简单估算，其测试值误差相对较大，但可以用此方法测试下管rdson。
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