化合物半导体光电及功率器件的仿真设计、数理模型与制备
近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（casa）指导，西安交通大学、极智半导体产业网、第三代半导体产业主办，西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、第三代半导体产业技术创新战略联盟人才发展委员会、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团联合组织、西安和其光电股份有限公司等单位协办。
期间，“平行论坛2：光电子器件及应用”上，河北工业大学教授、天津赛米卡尔科技有限公司联合创始人张勇辉带来了“化合物半导体光电及功率器件的仿真设计、数理模型与制备”的主题报告。
报告中分享了algan基深紫外发光二极管的建模与制造、激光二极管的建模与器件物理，紫外光探测器、microled、电子器件的建模与制造等研究进展，涉及提高algan基 duv led发光效率的方法及机理研究，duv led的低eqe和效率下降，高效半导体激光二极管的设计，光敏器件辅助实验制造，micro-led建模表面复合，实现高击穿电压的功率器件和设计等。
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