模拟开关基础及选型知识汇总
模拟开关，是利用jfet或mos的特性实现控制信号通路的开关，主要用来完成信号链路连接或断开的切换功能。由于它具有功耗低、速度快、无机械触点、体积小和使用寿命长等特点，在各种自动控制系统和电子数码产品中得到了广泛应用。
传统cmos工艺模拟开关的结构如图1所示。将nmos与pmos并联，可使信号在两个方向上同等顺畅地通过。门极用于控制开关的导通和截止，nmos在vgs为正的时候导通，在vgs为负的时侯截止，pmos则反之。
由于pmos和nmos的不同特性，导致他们组成的开关具有如下图所示的特性。nmos和pmos之间承载信号电流的多少由输入与输出电压比决定。由于开关对电流流向不存在选择问题，因而也没有输入端与输出端之分。
两个mosfet由内部反相与同相逻辑控制下导通或断开。cmos开关的好处是轨到轨的动态范围，双向操作，在输入电压变化时，导通电阻保持不变。
图1 典型模拟开关内部结构图
静态参数（导通电阻，漏电流，逻辑控制触发电平）：
①导通电阻ron，不同通道导通电阻的差异∆ron，导通电阻的平坦度rflat(on)
导通电阻会导致信号有损失，尤其是当开关串联的负载为低阻抗时损失更大。应用中应根据实际情况选择导通电阻合适的开关。特别需要注意，导通电阻的阻值与电源供电电压有直接关系，通常电源电压越大，导通电阻就越小。
图2 cmos型模拟开关导通电阻特性曲线
nmos管在信号比较低时的导通电阻较小，而pmos管则在输入信号较高时的导通电阻较小，两个电阻并联后，则在整个信号的有效范围内都比较低。
②漏电流leakage current ：
一个理想状态的开关要求导通状态下的电阻为零，断开状态下导通电阻趋于无限大，漏电流为零；而实际上开关断开时为高阻状态，漏电流不为零，常规的cmos漏电流约1na左右。开关断开时，漏电流会流入负载，从而引起额外的误差。如果信号源内阻很高，传输信号为直流量，就特别需要考虑模拟开关的漏电流，一般希望漏电流越小越好。
需要注意，如果通过模拟开关前端电路的阻抗大则漏电流的影响不容忽略，如果前端电路阻抗较小，则导通电阻的影响就会更大些。
图3 开关导通状态下的等效电路
图4 开关断开状态下的等效电路（vout = ilkg × rl）
③逻辑控制触发电平vih,vil：
vih:可以被模拟开关识别成逻辑高电平的最小电平值
vil:可以被模拟开关识别成逻辑低电平的最大电压值。
动态参数（导通\\断开时间，传输延迟，电荷注入，管脚电容，最大数据速率，隔离度等）
①ton/toff:
开关接收到数字控制管脚的导通或断开信号后，输出真正反映输入信号导通或断开所需要的时间。
图5 turn on&turn off 时间
②t-break-before-make:
这个指标大部分针对单刀多掷的模拟开关而言的，比如对于一个1:2的模拟开关（spdt），它的定义是从断开一个开关到打开另一个开关的时间。
图6 break-before-make时间
③t-make-before-break：
与上面的参数类似，从打开开关到断开另外一个开关的时间。
④切换时间：t transition time：
从一个输入通道切换到另一个输入通道后，输出需要的切换时间。
⑤t enable/disable time：
输入通道在使能和禁止时，所需要的的时间。
⑥propagation delay:
信号出现在输入通道后，出现在输出通道的时间差。
⑦电荷注入：
用于衡量模拟开关在进行开和断操作时由于电荷的放电，导致出现在开关输出的毛刺电压。原理是开关导通时，对电容进行充电断开时，储存的电荷进行放电。对源端的放电不会引入误差，而对负载端的放电则会引入误差。显而易见，电荷注入会带来增益误差和直流失调误差。
⑧管脚寄生电容cs(on),cd(on),cs(off),cd(off),c in
cs(on) 导通时输入电容
cd(on) 导通时输出电容；
cs(off) 断开时的输入电容；
cd(off) 断开时的输出电容；
c in 数字控制引脚上的寄生电容。
⑨-3db带宽 -3db bandwidth：
开关导通时，增益衰减3db的时候，可导通信号的频率被定义为带宽。
⑩隔离度off isolation：
当开关断开时，理想状态下，输出不应出现输入信号，实际上在输出会有与输入信号频率一样的信号，这是由于输入输出间的寄生电容引起的。隔离度参数越大越好，表示输出端耦合过去的信号越小。
⑪串扰crosstalk：
对于2:1的复用器，当其中通道1导通时，通道2上会耦合出通道1的信号，crosstalk用于衡量耦合信号的大小，参数值越大，表示耦合过去的信号幅值越小。
⑫总谐波失真 total harmonic distort：
一些音频的信号处理对thd要求严格，thd定义为，信号功率与谐波及噪声的db比值。测试时给开关输入一个正弦波，开关的输出会包含基波以及各次谐波，要注意的是导通电阻的平坦度也会影响thd的指标。
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传统cmos工艺模拟开关的结构如图1所示。将nmos与pmos并联，可使信号在两个方向上同等顺畅地通过。门极用于控制开关的导通和截止，nmos在vgs为正的时候导通，在vgs为负的时侯截止，pmos则反之。
由于pmos和nmos的不同特性，导致他们组成的开关具有如下图所示的特性。nmos和pmos之间承载信号电流的多少由输入与输出电压比决定。由于开关对电流流向不存在选择问题，因而也没有输入端与输出端之分。
两个mosfet由内部反相与同相逻辑控制下导通或断开。cmos开关的好处是轨到轨的动态范围，双向操作，在输入电压变化时，导通电阻保持不变。
图1 典型模拟开关内部结构图
静态参数（导通电阻，漏电流，逻辑控制触发电平）：
①导通电阻ron，不同通道导通电阻的差异∆ron，导通电阻的平坦度rflat(on)
导通电阻会导致信号有损失，尤其是当开关串联的负载为低阻抗时损失更大。应用中应根据实际情况选择导通电阻合适的开关。特别需要注意，导通电阻的阻值与电源供电电压有直接关系，通常电源电压越大，导通电阻就越小。
图2 cmos型模拟开关导通电阻特性曲线
nmos管在信号比较低时的导通电阻较小，而pmos管则在输入信号较高时的导通电阻较小，两个电阻并联后，则在整个信号的有效范围内都比较低。
②漏电流leakage current ：
一个理想状态的开关要求导通状态下的电阻为零，断开状态下导通电阻趋于无限大，漏电流为零；而实际上开关断开时为高阻状态，漏电流不为零，常规的cmos漏电流约1na左右。开关断开时，漏电流会流入负载，从而引起额外的误差。如果信号源内阻很高，传输信号为直流量，就特别需要考虑模拟开关的漏电流，一般希望漏电流越小越好。
需要注意，如果通过模拟开关前端电路的阻抗大则漏电流的影响不容忽略，如果前端电路阻抗较小，则导通电阻的影响就会更大些。
图3 开关导通状态下的等效电路
图4 开关断开状态下的等效电路（vout = ilkg × rl）
③逻辑控制触发电平vih,vil：
vih:可以被模拟开关识别成逻辑高电平的最小电平值
vil:可以被模拟开关识别成逻辑低电平的最大电压值。
动态参数（导通\\断开时间，传输延迟，电荷注入，管脚电容，最大数据速率，隔离度等）
①ton/toff:
开关接收到数字控制管脚的导通或断开信号后，输出真正反映输入信号导通或断开所需要的时间。
图5 turn on&turn off 时间
②t-break-before-make:
这个指标大部分针对单刀多掷的模拟开关而言的，比如对于一个1:2的模拟开关（spdt），它的定义是从断开一个开关到打开另一个开关的时间。
图6 break-before-make时间
③t-make-before-break：
与上面的参数类似，从打开开关到断开另外一个开关的时间。
④切换时间：t transition time：
从一个输入通道切换到另一个输入通道后，输出需要的切换时间。
⑤t enable/disable time：
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⑥propagation delay:
信号出现在输入通道后，出现在输出通道的时间差。
⑦电荷注入：
用于衡量模拟开关在进行开和断操作时由于电荷的放电，导致出现在开关输出的毛刺电压。原理是开关导通时，对电容进行充电断开时，储存的电荷进行放电。对源端的放电不会引入误差，而对负载端的放电则会引入误差。显而易见，电荷注入会带来增益误差和直流失调误差。
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cs(on) 导通时输入电容
cd(on) 导通时输出电容；
cs(off) 断开时的输入电容；
cd(off) 断开时的输出电容；
c in 数字控制引脚上的寄生电容。
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⑪串扰crosstalk：
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