51单片机概述
单片机是什么？
在学之前必须要明白这个东西是什么，怎么用，为什么能这样用。理解这三个问题，那么51单片机就可以学得很好。
单片机的对比
这里只对8051与8052进行对比：
型号 flash（rom） ram i/o 定时/计数器 中断源 引脚数
at89c51 4kb 128b 32 2 5 40
at89c52 8kb 256b 32 3 8 40
引脚描述
20引脚vss：电源负极
40引脚vcc：电源正极（+5v）
19引脚xtal1：片内时钟振荡器的输入端；当使用片内时钟振荡器时，这个引脚接石英晶体和微调电容。
18引脚xtal2：片内时钟振荡器的输出端；当使用片内时钟振荡器时，这个引脚接石英晶体和微调电容。
9引脚rst：复位信号输入端；高电平有效（无效状态电平必须低于0.5v）。
31引脚ea/vpp：
ea=1，访问片内程序存储器，但在pc（程序计数器）值 超过0fffh时，即超出片内程序存储器的4k字节地址范围时，将自动转向执行外部程序存储器内的程序。
ea=0，单片机只访问外部程序存储器
vpp：对片内flash进行编程时，该引脚接入编程电压。
通常情况下，将此引脚与vcc接在一起。
30引脚ale/prog：
ale：地址锁存控制信号端。不访问外部rom与ram时不使用。
prog：为编程脉冲输入端。
29引脚psen：片外程序存储器的选通信号，低电平有效。
以下为i/o端口：
p0：
第一功能：8位，漏极开路的双向i/o口。用时要加上拉电阻。
第二功能：低8位地址线和8位数据线分时复用；此时为真正的双向三态口。
电源时钟，晶振电路
1、内部时钟方式
1.起振电容c1和c2典型值15~33pf，通常选择为30pf的瓷片电容。
2.晶体的振荡频率一般为12mhz（方便定时计算）和 11.0592mhz（方便串口波特率设置）。
3.晶体和电容尽量安装得与单片机靠近。
2、外部时钟方式
这种方式常用于多片单片机同时工作。
时序
1、时钟周期： 单片机的基本时间单位。若时钟的晶体的振荡频率为fosc，则时钟周期tosc=1/fosc。
2、机器周期：cpu完成一个基本操作所需的时间称为机器周期。
at89s51单片机每12个时钟周期为1个机器周期。
通常，一条指令的执行要分为好几个基本操作，每个基本操作耗时一个机器周期。
3、指令周期：指令周期是执行一条指令所需的时间。
单片机的指令按字节可分为单字节（1个机器周期）、双字节（2个机器周期）、三字节指令（3个机器周期），乘法、除法指令需要（4个机器周期），因此执行一条指令的时间也不相同。
时钟周期==1/fosc ; 机器周期=12*时钟周期 ; 指令周期=1~4机器周期。当使用12m晶振，执行单字节指令的时间 t=12*（1/fosc）=12*（1/12m）=1us。
复位电路
上电自动复位电路：引脚rst加上大于2个机器周期的高电平（2us）就可使单片机复位。
1.工程上通常认为t=3rc~5rc，充放电结束。
2.先确定复位时间t，然后根据条件确定rc。
最小系统
复位电路的探讨： 若采用上图制作复位电路，使上电延迟100ms复位，选择10k电阻，则计算出电容为109mf，选择100mf。典型值通常选取，10k与10uf，则上电复位时间为：51ms
晶振电路的探讨： 上面已经说了…
i/o口的探讨：“灌电流”：由外设向单片机引脚灌入电流，此时单片机输出低电平；“拉电流”：由单片机引脚向外设输出电流，此时单片机输出高电平；p0口的灌电流最大电流可达26ma，其他i/o稍弱些。而拉电流比较差，大概在1ma。所以通常是以低电平点亮led灯。p0口用做通用i/o时，需加上拉电阻（1~10k），否则p0口作地址 / 数据总线。
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at89c52 8kb 256b 32 3 8 40
引脚描述
20引脚vss：电源负极
40引脚vcc：电源正极（+5v）
19引脚xtal1：片内时钟振荡器的输入端；当使用片内时钟振荡器时，这个引脚接石英晶体和微调电容。
18引脚xtal2：片内时钟振荡器的输出端；当使用片内时钟振荡器时，这个引脚接石英晶体和微调电容。
9引脚rst：复位信号输入端；高电平有效（无效状态电平必须低于0.5v）。
31引脚ea/vpp：
ea=1，访问片内程序存储器，但在pc（程序计数器）值 超过0fffh时，即超出片内程序存储器的4k字节地址范围时，将自动转向执行外部程序存储器内的程序。
ea=0，单片机只访问外部程序存储器
vpp：对片内flash进行编程时，该引脚接入编程电压。
通常情况下，将此引脚与vcc接在一起。
30引脚ale/prog：
ale：地址锁存控制信号端。不访问外部rom与ram时不使用。
prog：为编程脉冲输入端。
29引脚psen：片外程序存储器的选通信号，低电平有效。
以下为i/o端口：
p0：
第一功能：8位，漏极开路的双向i/o口。用时要加上拉电阻。
第二功能：低8位地址线和8位数据线分时复用；此时为真正的双向三态口。
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1、内部时钟方式
1.起振电容c1和c2典型值15~33pf，通常选择为30pf的瓷片电容。
2.晶体的振荡频率一般为12mhz（方便定时计算）和 11.0592mhz（方便串口波特率设置）。
3.晶体和电容尽量安装得与单片机靠近。
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1、时钟周期： 单片机的基本时间单位。若时钟的晶体的振荡频率为fosc，则时钟周期tosc=1/fosc。
2、机器周期：cpu完成一个基本操作所需的时间称为机器周期。
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通常，一条指令的执行要分为好几个基本操作，每个基本操作耗时一个机器周期。
3、指令周期：指令周期是执行一条指令所需的时间。
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时钟周期==1/fosc ; 机器周期=12*时钟周期 ; 指令周期=1~4机器周期。当使用12m晶振，执行单字节指令的时间 t=12*（1/fosc）=12*（1/12m）=1us。
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