联电、IBM 合攻20纳米市场
晶圆代工厂联电（2303）昨（29）日宣布与ibm签订技术授权合约，将以3d架构的鳍式场效晶体管（finfet），促进次世代尖端20纳米cmos制程的开发，以加速联电次世代尖端技术的研发时程。
根据联电及ibm的协议，ibm将授权其20纳米设计套件以及finfet技术给联电，联电将可运用这些技术，加快推出这些制程给客户采用的时程。不过联电表示，虽取得技术授权，但联电并未加入由ibm主导的半导体技术研发联盟－通用平台（common platform）。
联电与ibm的合作协议，包括ibm的20纳米cmos制程与finfet技术。联电内部自行研发的20纳米平面（planar）制程，将与ibm的设计规则与制程/元件目标同步，未来联电的finfet技术，将针对行动运算与通讯产品，此研发将于联电位于南科的研发中心进行。
目前全球的半导体厂的技术研发上，英特尔仍执牛耳，量产中的22纳米制程已导入「tri-gate」的3d晶体管架构。为了追上英特尔脚步，包括台积电、联电、ibm、三星、格罗方德（globalfoundries）等晶圆代工厂，均投入庞大资金进行3d架构的finfet技术研发，最快在20纳米世代就会开始导入。
联电表示，获得ibm的技术授权后，联电20纳米制程技术除了平面制程，也会开始导入finfet技术，且未来联电与ibm的20纳米制程兼容。
业者指出，联电此举等于20纳米制程将与ibm「互通」，过去在ibm及通用平台联盟投片的客户，可以在最短时间转到联电投片。而借重ibm的专业技术来缩减联电20纳米与finfet研发周期，将可为联电与客户创造双赢。
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