当buzz处于高压状态时,晶体管t1(n型晶体管)接通,蜂鸣器响起。r5 的角色用于电流限制。
以下电路增加一个电容c18和一个反向二极管d2,以滤除和阻断反向二极管。二极管的反向击穿电压非常高。一般低功率三极管触发电压非常低至0.7v。电流也很小,一般小于1ua。
iii io控制电源开关已打开 - 使用晶体管和 mos 管
mos:fet mosfet管之一,可制成增强型或耗尽型,p沟道或n沟道全部类型。但实际应用只是增强型n沟道mos管和增强型p沟道mos管,即nmos和pmos。
对于这两种增强型mos管,通常使用nmos,其特点是导通电阻低。它通常适用于巫术电源和电机驱动。
导管条件:
当 vgs 大于特定值时,nmos 将打开。当 vgs 小于某个值时,pmos 打开。
开关损耗:
无论是nmos还是pmos,导通后都有导通电阻,导致不可避免的损耗。而现在mos晶体管的导通电阻一般是几十毫欧。
mos管ao3401:p沟道增强模式场效应晶体管
导通条件:一般不超过-12v即可用于ao3401。以下是不同压降下的阻抗:
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