为啥CMOS反相器要优于NMOS反相器呢？
为啥又看反相器呢，因为想做pll，锁相环里有pd，pd里面有锁存器，锁存器里有nand，而nand里又是基于反相器。所以喽。
反相器，是数字电路中的基本器件。
上图是理想的反相器。
当vin=0时，vout=vdd;
当vin=vdd时，vout=0;
vout在vdd和0之间跳变。
但实际中，不可能实现跳变，即vin在v1附件一个非常微小的变化，使得vout从vdd变为0，则表示电路的电压增益在此时是无限大的;但实际上，电路增益一直是个有限的值，所以实际电路中，vout只会从vdd渐变至低，至于低电平是多少电压，则取决于设计。
可以看到，输出的低电压与w/l和rd相关，因为分母中的式子不可能为无穷大，所以输出的低电平只能接近于0，但是到不了0。
虽然用共源电路可以实现反相器的基本性能，但是它确不常用，为什么呢?
因为它具有三个致命的缺陷:
(1) rd的值，必须远大于晶体管所呈现出来的电阻ron. 因为当想要输出低电平时，vout=ron*vdd/(rd+ron)，所以为了使得低电平足够低，则要求rd>>ron
(2) 因为rd的存在，使得反相器的速度和功耗不能兼得。如下图，可以看到，当想提高速度时，则需要降低rd,但是此时功耗又上升。
(3) 如果反相器输出为低电平时，反相器的功耗为 vdd*vdd/rd
这三点中，最要命的是第三点。
在大型数字电路中，有一个静态功耗，就是指电路不动作时的功耗，而nmos反相器(共源电路实现的反相器)的静态功耗为vdd*vdd/rd。
比如说，一个大型数字芯片，有1百万个门电路，其中有一般是处于低电平输出状态，假设vdd=1.8v，rd=10kohm,则静态功耗高达 162w，这个显然不能接受。
而这三点缺点，则主要是与上拉电阻rd有关。
所以，如果能找到这样一个器件，当m1关断时，该器件将输出与vdd相连，最好该器件的电阻很低;而当m1打开时，该器件关断，这样就没有电流从vdd流向地。即如下图所示。
那什么器件能担当此重任呢?
那就是pmos。
把pmos和cmos合体，形成的反相器，称之为cmos反相器。
cmos反相器的输出低电平基本为0，因为当vin=vdd时，m2关断。而nmos的低电平永远都不可能为0。
cmos在高电平输出和低电平输出的状态下，静态功耗都为0,;而nmos在低电平输出状态下，有静态功耗。
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可以看到，输出的低电压与w/l和rd相关，因为分母中的式子不可能为无穷大，所以输出的低电平只能接近于0，但是到不了0。
虽然用共源电路可以实现反相器的基本性能，但是它确不常用，为什么呢?
因为它具有三个致命的缺陷:
(1) rd的值，必须远大于晶体管所呈现出来的电阻ron. 因为当想要输出低电平时，vout=ron*vdd/(rd+ron)，所以为了使得低电平足够低，则要求rd>>ron
(2) 因为rd的存在，使得反相器的速度和功耗不能兼得。如下图，可以看到，当想提高速度时，则需要降低rd,但是此时功耗又上升。
(3) 如果反相器输出为低电平时，反相器的功耗为 vdd*vdd/rd
这三点中，最要命的是第三点。
在大型数字电路中，有一个静态功耗，就是指电路不动作时的功耗，而nmos反相器(共源电路实现的反相器)的静态功耗为vdd*vdd/rd。
比如说，一个大型数字芯片，有1百万个门电路，其中有一般是处于低电平输出状态，假设vdd=1.8v，rd=10kohm,则静态功耗高达 162w，这个显然不能接受。
而这三点缺点，则主要是与上拉电阻rd有关。
所以，如果能找到这样一个器件，当m1关断时，该器件将输出与vdd相连，最好该器件的电阻很低;而当m1打开时，该器件关断，这样就没有电流从vdd流向地。即如下图所示。
那什么器件能担当此重任呢?
那就是pmos。
把pmos和cmos合体，形成的反相器，称之为cmos反相器。
cmos反相器的输出低电平基本为0，因为当vin=vdd时，m2关断。而nmos的低电平永远都不可能为0。
cmos在高电平输出和低电平输出的状态下，静态功耗都为0,;而nmos在低电平输出状态下，有静态功耗。
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