反向电流是指系统输出端的电压高于输入端的电压,导致电流反向流过系统。
来源: 1. mosfet用于负载切换应用时,体二极管变为正向偏置。 2. 当电源从系统断开时,输入电压突然下降。
需要考虑反向电流阻断的场合: 1. 功率多路复用供电采用mos控制时 2. oring控制。oring与功率多路复用类似,不同之处在于,不是选择一个电源为系统供电,而是始终使用最高电压为系统供电。 3. 断电时,特别是输出电容比输入电容大得多的时候,电压下降得慢。
危害: 1. 反向电流会损坏内部电路和电源 2. 反向电流尖峰还会损坏电缆和连接器 3. mos的体二极管功耗上升甚至损坏 优化方法: 1. 采用二极管 二极管,特别是肖特基二极管,天然具有反向电流和反极性保护的功能,但是成本高,反向漏电流大,需要散热。 2. 采用背对背的mos 两个方向都可以阻断,但是占板面积大,导通阻抗大,成本高。 下图中,控制三极管导通时,其集电极为低,两pmos导通,当三极管关断时,若输出比输入高,右侧mos体二极管导通,使得其d级为高,使得g级为高,左侧mos体二极管不通,同时由于mos的vsg为体二极管压降达不到门槛电压,所以两mos关断,这样阻断输出到输入的电流。
3. 反向mos 反向mos虽然可阻断输出到输入的反电流,但缺点是从输入到输出总有一条体二极管通路,而且不够智能,当输出大于输入时,不能关断mos,还需加电压比较电路,所以就有了后来的理想二极管。
4. 负载开关 5. 多路复用 多路复用:从两个或更多个输入电源之间选择其中一个为单个输出端供电。 6. 理想二极管 形成理想二极管有两个目标,一个是模拟肖特基,二是必须有输入输出比较电路,来使其反向关断。
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