丹邦科技募资17.8亿研发量子碳化合物半导体膜 有望在化合物半导体材料领域实现重大技术突破
4月6日，深圳丹邦科技股份有限公司（以下简称“丹邦科技”）发布2020年非公开发行股票预案公告，拟非公开发行募资17.8亿元。
公告显示，丹邦科技本次非公开发行的股票数量不超过本次非公开发行前公司总股本的30%，即发行数量合计不超过164，376，000 股（含本数）。
募资17.8亿
公告显示，丹邦科技本次非公开发行股票募集资金总额不超过17.8亿元，主要用于量子碳化合物厚膜产业化项目、新型透明pi膜中试项目、量子碳化合物半导体膜研发项目、以及补充流动资金，三个项目建设周期均为2.5年，建设地点位于广东省东莞市松山湖科技产业园工业西三路广东丹邦工业园。
其中，量子碳化合物厚膜产业化项目投资总额为12.31亿元，拟使用募集资金10.3亿元；新型透明pi膜中试项目投资总额为4.65亿元；量子碳化合物半导体膜研发项目投资总额为1.21亿元。
资料显示，丹邦科技经营范围包括开发、生产经营柔性覆合铜板、液晶聚合导体材料，高频柔性电路、柔性电路封装基板、高精密集成电路、新型电子元器件、二维半导体材料、聚酰亚胺薄膜、量子碳基膜、多层石墨烯膜、屏蔽隐身膜等。
公司主要产品包括柔性fccl、高密度fpc、芯片封装cof基板、芯片及器件封装产品及柔性封装相关功能热固化胶、微粘性胶膜等，主要应用于空间狭小，可移动折叠的高精尖智能终端产品，在消费电子、医疗器械、特种计算机、智能显示、高端装备产业等所有微电子领域都得到广泛应用。
丹邦科技表示，本次募集资金投资项目的总体目标即：大批量生产量子碳化合物厚膜、中试新型透明pi膜、研发量子碳化合物半导体膜，为实现公司成为国际领先的新型半导体材料企业的发展愿景打下坚实基础。
研发量子碳化合物半导体膜
当前，半导体新材料的突破将成为半导体产业未来发展的关键。传统硅基半导体性能已接近极限，而量子碳化合物半导体膜有望成为综合性能更好的新型化合物半导体材料。
量子碳化合物半导体膜作为一种新型的化合物半导体材料，与gaas、gan以及sic等其他化合物半导体材料相比，具有高频、高效率、抗辐射、耐高低温、耐高压、低功耗、高热导等化合物半导体材料的特性。
公告显示，丹邦科技此次投资项目之一量子碳化合物半导体膜研发项目投资总额为1.21亿元，拟使用募集资金1.2亿元，主要建设内容为利用公司现有厂房进行改造并引进设备开展新型化合物半导体材料——量子碳化合物半导体膜的研发。
从金额上看，在四个拟募投项目中，尽管“量子碳化合物半导体膜研发项目”的投资额最少，但该项目对于丹邦科技在新材料领域由高分子材料拓展至化合物半导体材料，具有重大战略意义。
丹邦科技在pi膜分子结构设计、成膜及烧结工艺的研发过程中，通过纳米金属材料的掺杂、杂化，并进行离子交换和离子注入，使薄膜表面形成分布均匀的纳米量子点，实现了薄膜带隙的开启与调控，使其具备二维半导体性能。
丹邦科技将以此为基础，切入化合物半导体材料领域，开展量子碳化合物半导体膜研发项目，拟研制耐高低温、高压、高频性能、大宽幅、超柔韧、超薄层微结构的化合物半导体材料。
丹邦科技表示，本次量子碳化合物半导体膜研发项目得以实施后，公司有望在化合物半导体材料领域实现重大技术突破，提升公司的技术领先地位，亦有助于提升我国在化合物半导体材料领域的自主创新能力与竞争力。
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公告显示，丹邦科技本次非公开发行的股票数量不超过本次非公开发行前公司总股本的30%，即发行数量合计不超过164，376，000 股（含本数）。
募资17.8亿
公告显示，丹邦科技本次非公开发行股票募集资金总额不超过17.8亿元，主要用于量子碳化合物厚膜产业化项目、新型透明pi膜中试项目、量子碳化合物半导体膜研发项目、以及补充流动资金，三个项目建设周期均为2.5年，建设地点位于广东省东莞市松山湖科技产业园工业西三路广东丹邦工业园。
其中，量子碳化合物厚膜产业化项目投资总额为12.31亿元，拟使用募集资金10.3亿元；新型透明pi膜中试项目投资总额为4.65亿元；量子碳化合物半导体膜研发项目投资总额为1.21亿元。
资料显示，丹邦科技经营范围包括开发、生产经营柔性覆合铜板、液晶聚合导体材料，高频柔性电路、柔性电路封装基板、高精密集成电路、新型电子元器件、二维半导体材料、聚酰亚胺薄膜、量子碳基膜、多层石墨烯膜、屏蔽隐身膜等。
公司主要产品包括柔性fccl、高密度fpc、芯片封装cof基板、芯片及器件封装产品及柔性封装相关功能热固化胶、微粘性胶膜等，主要应用于空间狭小，可移动折叠的高精尖智能终端产品，在消费电子、医疗器械、特种计算机、智能显示、高端装备产业等所有微电子领域都得到广泛应用。
丹邦科技表示，本次募集资金投资项目的总体目标即：大批量生产量子碳化合物厚膜、中试新型透明pi膜、研发量子碳化合物半导体膜，为实现公司成为国际领先的新型半导体材料企业的发展愿景打下坚实基础。
研发量子碳化合物半导体膜
当前，半导体新材料的突破将成为半导体产业未来发展的关键。传统硅基半导体性能已接近极限，而量子碳化合物半导体膜有望成为综合性能更好的新型化合物半导体材料。
量子碳化合物半导体膜作为一种新型的化合物半导体材料，与gaas、gan以及sic等其他化合物半导体材料相比，具有高频、高效率、抗辐射、耐高低温、耐高压、低功耗、高热导等化合物半导体材料的特性。
公告显示，丹邦科技此次投资项目之一量子碳化合物半导体膜研发项目投资总额为1.21亿元，拟使用募集资金1.2亿元，主要建设内容为利用公司现有厂房进行改造并引进设备开展新型化合物半导体材料——量子碳化合物半导体膜的研发。
从金额上看，在四个拟募投项目中，尽管“量子碳化合物半导体膜研发项目”的投资额最少，但该项目对于丹邦科技在新材料领域由高分子材料拓展至化合物半导体材料，具有重大战略意义。
丹邦科技在pi膜分子结构设计、成膜及烧结工艺的研发过程中，通过纳米金属材料的掺杂、杂化，并进行离子交换和离子注入，使薄膜表面形成分布均匀的纳米量子点，实现了薄膜带隙的开启与调控，使其具备二维半导体性能。
丹邦科技将以此为基础，切入化合物半导体材料领域，开展量子碳化合物半导体膜研发项目，拟研制耐高低温、高压、高频性能、大宽幅、超柔韧、超薄层微结构的化合物半导体材料。
丹邦科技表示，本次量子碳化合物半导体膜研发项目得以实施后，公司有望在化合物半导体材料领域实现重大技术突破，提升公司的技术领先地位，亦有助于提升我国在化合物半导体材料领域的自主创新能力与竞争力。
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