三星电子正在研发第七代V-NAND,预计明年批量生产
12月7日，韩国半导体公司sk海力士表示，近期已成功研发出基于三层存储单元（tlc）的176层512gb（千兆位）nand闪存。
据韩联社12月7日报道，sk海力士介绍，第三代4d nand闪存达到业界最高水平，比上一代128层产品提高了35%以上生产率，增强了产品成本竞争力。另外，sk海力士新产品的读取速度比上一代加快20%，数据传输速度达到每秒1.6gb，提高了33%。
上月，sk海力士于向控制器企业提供了nand样品，计划明年6月左右批量生产，并依次推出消费者级ssd、企业级ssd等产品，扩大各应用领域的市场。另一方面，韩国的三星电子也正在研发第七代v-nand，预计明年批量生产。
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