加州戈拉塔--(business wire)--(美国商业资讯)--最高可靠性高压(hv)氮化镓(gan)半导体的设计和制造领导者transphorm inc.今天宣布,它已与贸泽电子(mouser electronics inc.)签署全球分销协议,授权该公司在全球经销其最新的半导体和电子元件。根据协议,贸泽电子将分销transphorm的经过jedec和aec-q101认证的gan fet和评估工具。
截至今天,贸泽电子可供应transphorm的900 v to-220和650 v to-247 to-247及to-220 gan fet器件。这些器件具有低交越损耗、更少栅极电荷和更小的反向恢复电荷,与硅mosfet相比,可提供与碳化硅(sic) fet相似的现场可靠性和更高的性能。与竞争对手的gan晶体管相比,transphorm的fet还提供业界最高的4 v阈值电压和±20 v的栅极稳健性等级。
另外还提供transphorm的汽车级gan fet,包括业界首款获得aec-q101认证的gan解决方案tph3205wsbqa,以及业界首款175摄氏度标准的aec-q101认证器件tp65h035wsqa。与非汽车应用一样,使用650 v gan fet的车载电源系统与类似的硅基解决方案相比,可以将功率密度提高40%,同时将整体系统成本降低多达20%。
最后,贸泽电子推出的transphorm评估平台允许设计人员研究开关特性和效率。该套件支持各种电源系统拓扑,包括逆变器、半桥降压或升压(通孔和smd解决方案)以及无桥图腾柱pfc,并支持一系列额定功率。例如,包括1.2 kw和2.5 kw半桥评估平台以及2.5 kw和4 kw无桥图腾柱pfc评估平台。
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