围绕超越摩尔定律的存储器产品将崭露头角
（文章来源：电子信息产业网）
在存储器技术继续延续摩尔定律发展的同时，以新材料、新结构、新器件为特点的超越摩尔定律为存储器产业提供了新的发展方向。三维异质器件系统集成成为发展趋势，三星、镁光、英特尔、海力士等企业在三维器件制造与封装领域发展迅速。
英特尔联合镁光推出革命性的3d xpoint新技术;三星实现多层3d nand闪存，成为存储领域的颠覆性产品。海力士采用超均一垂直植入技术、高信赖多层薄膜构成技术、超高速低电力线路设计等技术，首次实现了128层堆栈4d nand。
随着市场需求的多样化以及因工艺的限制及功耗的考虑，存储器产业已进入一个必须评估及发展替代技术的时代，特别是开发出可以同时实现稳定性和快速、低压（低能量）的新型存储器。经过数十年的研发，磁性存储器(mram)、相变存储器(pcram)和电阻式存储器(reram)等新型存储器即将在不远的未来投入商业化应用。
mram具备随机读写速度快、非易失性和低功耗等众多优点，未来将成为物联网设备的首选存储器。reram技术有多种实现形式，其特色在于即使拥有超高密度，仍能达到极小的平均读取电流。pcram以热量作为编程机制将高度非晶态的材料排列转变为晶体排列，所以在使用过程中即使断电，这种状态也不会消失，同时还可以实现很快的擦写速度。
总之，dram、闪存等主流存储器用了几十年才走向成熟，而且仍在不断发展。然而，这些存储器的演进愈发困难，特别是性能、功率和成本方面。新兴存储器有望实现更高的性能、更低的功耗和更低的成本，是首选的补充方案，在某些情况下甚至可以替代当今的主流技术。
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