上方电子成功研制的首台8.6代新型显示PVD装备，顺利完成发货
2019年5月7日，浙江上方电子装备有限公司成功研制的首台8.6代新型显示pvd装备，顺利完成发货。
上方电子首台8.6代array pvd设备发货仪式
根据cinno research供应链调查数据显示，截止2018年底thin film设备(包含pvd,cvd等成膜设备)国产化渗透率几乎为0%,其中pvd设备始终被ulvac和akt垄断，韩国设备商iruja在韩国面板厂的扶持下逐渐打破垄断，随着上方电子首台8.6代新型显示pvd装备顺利完成发货，标志着我国国产设备商亦开始打破垄断，实现突破。
中国已成为全球显示装备的最大市场，加强磁控溅射pvd等关键工艺装备的国产化配套，是我国显示产业提升竞争力的关键。
上方自主设计并开发的8.6代array pvd装备，最大玻璃基板尺寸为2250mm×2600mm，采用旋转阴极镀膜技术，可实现薄膜沉积厚度非均匀性80%。装备已获得国内技术专利11项，具有生产工艺先进、性能稳定、操作简单、维护保养成本低等优点。该装备的研发，得到了国家发改委和工信部的装备国产化项目立项支持。
上方电子8.6代array pvd设备
pvd设备旋转阴极镀膜源
上方8.6代pvd装备的交付，将进一步推动装备国产化的进程，有助于全方位提升我国新型显示产业竞争力。
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tft lcd工艺介绍
在了解pvd设备前，我们首先了解一下液晶显示器(tft lcd)的结构。
上图为tft lcd的结构图，整个器件由背光，tft基板，液晶，cf基板，上下偏光片等构成。其中，tft基板上的薄膜晶体管器件(thin film transistor)是控制液晶转向的关键器件，相当于每一个显示像素的开关的作用。
上图即为一个经典的五光罩tft器件的结构图，它是一个由多层金属薄膜，无机膜和半导体薄膜构成的复杂结构。这个结构就是通过以下array工艺制作出来的。
首先在超薄玻璃上使用cvd或者pvd制作薄膜，其中金属层和ito层由pvd制作, 绝缘层，半导体层等由cvd制作。然后通过黄光工艺(photo)曝光设备制作我们需要的图形，最后通过蚀刻(etching)工艺将多余的部分去除，留下我们需要的图形薄膜。这样多次循环后就制作完成了我们需要的tft器件。
因此，对于整个显示半导体tft工艺来说，核心设备即成膜设备(pvd,cvd),曝光设备和蚀刻设备。而这些核心设备技术一直掌握在国外厂商手中，正是这点始终制约了我国由显示面板大国向显示面板强国的转变。
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pvd设备介绍
pvd即物理气相沉积设备，是显示半导体生产工艺中非常核心的成膜工艺设备。
下图为pvd设备的工作原理图。主要原理为通过高能粒子轰击靶材使靶材发生溅射，溅射粒子在玻璃基板上沉积形成薄膜。
pvd的核心参数涉及到气流控制，真空仓压力控制，电源控制，玻璃温度控制和磁场控制等。这些参数直接影响到成膜膜厚，成膜均匀度，金属膜电阻率等关键性能，进而影响到tft器件性能。因此，pvd设备是array工艺中非常核心的关键设备，技术门槛非常高。
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关于上方电子装备
浙江上方电子装备有限公司是一家专注于高端电子装备研发及产业化的高新技术企业，主要产品磁控溅射镀膜设备、卷对卷柔性镀膜设备及其相关服务，可广泛应用于新型显示、薄膜太阳能及电致变色玻璃领域。公司成立于2011年12月，注册资金3.25亿元，位于浙江绍兴。
凭借性能稳定、技术领先、高性价比等优势，公司设备产品受到客户青睐，经营业绩持续快速增长。公司以客户为中心，将持续为广大客户提供最优质的产品和服务。
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首先在超薄玻璃上使用cvd或者pvd制作薄膜，其中金属层和ito层由pvd制作, 绝缘层，半导体层等由cvd制作。然后通过黄光工艺(photo)曝光设备制作我们需要的图形，最后通过蚀刻(etching)工艺将多余的部分去除，留下我们需要的图形薄膜。这样多次循环后就制作完成了我们需要的tft器件。
因此，对于整个显示半导体tft工艺来说，核心设备即成膜设备(pvd,cvd),曝光设备和蚀刻设备。而这些核心设备技术一直掌握在国外厂商手中，正是这点始终制约了我国由显示面板大国向显示面板强国的转变。
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下图为pvd设备的工作原理图。主要原理为通过高能粒子轰击靶材使靶材发生溅射，溅射粒子在玻璃基板上沉积形成薄膜。
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