东芝推出内存和硬盘合二为一的SCM存储级内存
电脑的运作需要有内存和硬盘两个部件来共同完成数据储存：内存速度快但容量小、断电后记忆会丢失，硬盘速度慢但容量大并且能够长久保存数据。有没有可能让内存和硬盘合二为一呢？
scm存储级内存兼具二者之长，既能持久存储数据，又具备极高的速度，因而也被成为persistent memory持久内存，它是近年来半导体存储的发展新方向。东芝宣布了xl-flash，它就属于持久内存类型。
为了让nand闪存的速度能够达到内存级的水平，东芝在bics 3d闪存结构之上进行了大幅度的优化调整，首先是用4kb page取代当前3d nand闪存普遍采用的16kb page结构，带来更低的读写延迟和更佳的随机存取效能。
其次是在xl-flash中使用16 plane架构取代目前出现在bics3闪存中的2 plane架构，带来更强的并发读写能力。
在之前公开的计划中东芝未来会在3d tlc闪存中使用4plane取代2plane结构，写入性能将获得大幅的提升提升。我们可以由此想象xl-flash中16plane结构的威力。
东芝将在xl-flash中采用slc，即1 bit per cell结构，实现更高速度与更高耐用性。经过以上的优化，东芝xl-flash实现了小于5微秒的超低读取延迟，相比当前3d tlc的50微秒降低了10倍，成功填补tlc nand闪存与dram内存之间的性能空位。
按照东芝的规划，xl-flash会被首先应用于数据中心以及企业级存储当中，在分层存储以及内存扩展方面提供性能助力。xl-flash的成本虽然比普通3d tlc要高，但凭借更接近内存的存取延迟，依然在scm存储级内存中具备显著成本/性能优势。
当然，xl-flash目前还只是刚刚发布的状态，距离实用化、家用化还有很长一段路要走。近期我们可以关注的是东芝消费级的两款nvme固态硬盘新品：rd500与rc500。
rd500和rc500分别使用8通道和4通道主控设计，支持pcie 3.0 x4接口与nvme 1.3协议，搭配东芝第四代bics 3d tlc闪存。
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