2000年～2012年中国IC产业主要发展历程
2000年
·4月，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司成立。
·6月，国务院18号文件《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》公布。
·7月，科技部依次批准上海、西安、无锡、北京、成都、杭州、深圳共7个国家级ic设计产业化基地。
·11月，上海宏力半导体制造有限公司在上海浦东开工奠基。
2001年
·2月，直径8英寸硅单晶抛光片国家高技术产业化示范工程项目在北京有色金属研究总院建成投产。
·3月，国务院第36次常务会议通过了《集成电路布图设计保护条例》。
2002年
·9月，龙芯1号在中科院计算所诞生。
·11月，中国电子科技集团公司第四十六研究所率先研制成功直径6英寸半绝缘砷化镓单晶。
2003年
·3月，杭州士兰微电子股份有限公司上市，成为国内ic设计第一股。
·6月，台积电（上海）有限公司落户上海，并于2005年4月正式投产。
·8月，英特尔公司宣布成立英特尔（成都）有限公司，并于2005年12月正式投产。
2004年
·9月，中芯国际的中国大陆第一条12英寸线在北京投入生产。
2005年
·中星微电子在美国纳斯达克上市，成为第一家在美国上市的中国ic设计公司。
2006年
·10月，无锡海力士意法半导体在无锡投产。
2007年
·3月，英特尔公司宣布在中国大连建厂。
·6月，成都成芯8英寸项目投产。
·12月，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司的12英寸生产线（fab8）建成投产。
2008年
·《集成电路产业“十一五”专项规划》重点建设北京、天津、上海、苏州、宁波等国家集成电路产业园。
2009年
·6月，工业和信息化部发布《关于进一步加强软件企业认定和软件产品登记备案工作的通知》工信厅软［2009］115号。
2011年
·1月，展讯发布全球首款40纳米低功耗商用td-hspa/td-scdma多模通信芯片sc8800g。
·2月，国务院发布了被业界称为“新18号文”的《进一步鼓励软件产业和集成电路产业的若干政策》（国发（2011）4号）。
·9月，上海华虹与宏力签署合并协议。
2012年
·3月，三星投资70亿美元在西安建立芯片生产线，工艺技术水平为10纳米、12英寸硅圆片。
·5月，财政部、国税总局发布《关于进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展企业所得税政策的通知》［财税〔2012〕27号］。
·6月，中芯国际将联合北京市相关机构共同筹集资金，在北京建设40纳米～28纳米生产线。
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·7月，科技部依次批准上海、西安、无锡、北京、成都、杭州、深圳共7个国家级ic设计产业化基地。
·11月，上海宏力半导体制造有限公司在上海浦东开工奠基。
2001年
·2月，直径8英寸硅单晶抛光片国家高技术产业化示范工程项目在北京有色金属研究总院建成投产。
·3月，国务院第36次常务会议通过了《集成电路布图设计保护条例》。
2002年
·9月，龙芯1号在中科院计算所诞生。
·11月，中国电子科技集团公司第四十六研究所率先研制成功直径6英寸半绝缘砷化镓单晶。
2003年
·3月，杭州士兰微电子股份有限公司上市，成为国内ic设计第一股。
·6月，台积电（上海）有限公司落户上海，并于2005年4月正式投产。
·8月，英特尔公司宣布成立英特尔（成都）有限公司，并于2005年12月正式投产。
2004年
·9月，中芯国际的中国大陆第一条12英寸线在北京投入生产。
2005年
·中星微电子在美国纳斯达克上市，成为第一家在美国上市的中国ic设计公司。
2006年
·10月，无锡海力士意法半导体在无锡投产。
2007年
·3月，英特尔公司宣布在中国大连建厂。
·6月，成都成芯8英寸项目投产。
·12月，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司的12英寸生产线（fab8）建成投产。
2008年
·《集成电路产业“十一五”专项规划》重点建设北京、天津、上海、苏州、宁波等国家集成电路产业园。
2009年
·6月，工业和信息化部发布《关于进一步加强软件企业认定和软件产品登记备案工作的通知》工信厅软［2009］115号。
2011年
·1月，展讯发布全球首款40纳米低功耗商用td-hspa/td-scdma多模通信芯片sc8800g。
·2月，国务院发布了被业界称为“新18号文”的《进一步鼓励软件产业和集成电路产业的若干政策》（国发（2011）4号）。
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2012年
·3月，三星投资70亿美元在西安建立芯片生产线，工艺技术水平为10纳米、12英寸硅圆片。
·5月，财政部、国税总局发布《关于进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展企业所得税政策的通知》［财税〔2012〕27号］。
·6月，中芯国际将联合北京市相关机构共同筹集资金，在北京建设40纳米～28纳米生产线。
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