PMOS防反接电路解析
最近偶然看到pmos防反接电路，感觉挺实用的，做个记录。
二极管串联
以常用的5v/2a为例。常用二极管串联在电路中，在电源反接时，二极管承担所有的电压，有效防止电源反接损坏后级设备。但是，二极管上压降较大，损耗较高。使用肖特基二极管可以减小损耗，但是仍对电路有较大影响，特别是在电源电压更低的情况下。
反并二极管+保险丝
使用反并二极管+保险丝，正常运行时基本没有损耗。在电源反接时，电源侧接近短路，保险丝熔断，从而实现保护。反接发生后，二极管和保险丝一般都需要更换。并且，输入反接时产生一个负压，后级设备还是有可能损坏。
pmos防反接电路
基本电路
基本的pmos防反接电路，利用pmos的寄生二极管：
电源正接，寄生二极管导通，s极电压升高，v g s ≈ − v i n ，从而pmos开启，一般导通电阻在数十mω，导通损耗远低于二极管。
电源反接，寄生二极管截止，v g s = 0 v，pmos关断，后级设备电压为0。
添加稳压管
如果使用pmos的vgs耐压低于电源电压，可以使用稳压管限制vgs。或者在输入电压基本不变的情况下，也可以使用电阻分压。
注意
1、pmos需要选择合适的vds、vgs耐压，选择低rds的型号可以减小损耗；
2、注意pmos上的功耗和散热；
3、因为pmos开启后电流可双向流动，这个电路的负载不能是电池等电压源。否则，如下右图，因为负载电池有5v电压，v g s = − 5 v v_{gs}=-5v，实际上pmos还是开启了，输入反接还是会导致过流。
几种方案对比
原文链接：https://blog.csdn.net/qq_34181877/article/details/123931861
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电源正接，寄生二极管导通，s极电压升高，v g s ≈ − v i n ，从而pmos开启，一般导通电阻在数十mω，导通损耗远低于二极管。
电源反接，寄生二极管截止，v g s = 0 v，pmos关断，后级设备电压为0。
添加稳压管
如果使用pmos的vgs耐压低于电源电压，可以使用稳压管限制vgs。或者在输入电压基本不变的情况下，也可以使用电阻分压。
注意
1、pmos需要选择合适的vds、vgs耐压，选择低rds的型号可以减小损耗；
2、注意pmos上的功耗和散热；
3、因为pmos开启后电流可双向流动，这个电路的负载不能是电池等电压源。否则，如下右图，因为负载电池有5v电压，v g s = − 5 v v_{gs}=-5v，实际上pmos还是开启了，输入反接还是会导致过流。
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