英特尔和美光宣布将分道扬镳
集微网消息，英特尔（intel）和美光（micron）在2015年8月推出了3d xpoint，打造出25年以来的首款新型态内存技术。2016年，英特尔发布采用3d xpoint技术的optane品牌储存产品，成为该技术最先上市的新一代高性能固态硬盘（ssd）系列。1月8日，合作多年的两家公司宣布将在完成第三代 3d nand 研发之后，正式分道扬镳。
外媒报道，英特尔和美光 12 年前成立合资公司 im flash technologies发展nand。在2012年的时候，英特尔把多数imft工厂的股份卖给了美光，而只保留lehi这一个据点。此后，双方就开始各自兴建自己的生产线。英特尔提供研发成本，可分享 nand 销售收益。目前，英特尔nand主要用于企业市场的固态硬盘（ssd），而美光除了销售ssd，还供应nand flash芯片产品给更多客户。
目前，两家公司已进入第二代 3d nand 制程，可堆叠 64 层，正在研发第三代产品，预料将可实现 96 层的堆叠技术，预计在 2018 年底、2019 年初问世。
去年11月，im flash b60晶圆厂完成扩建工程，规模扩大后的晶圆厂将生产3d xpoint内存。
关于两家公司分道扬镳的理由，一种猜测是，在nand堆叠层数破百后，需要调整string stacking的堆叠方式，两家公司对此看法不同，因而分手。另一种猜测是，目前3d nand的生产主流是电荷储存式（charge trap） ，三星电子等厂商均采用这一方式，英特尔/美光是唯一采用浮闸（floating gate）架构的厂商。也许是两家公司中有一家想改采电荷储存式架构，但这相当于承认失败，表明从2d nand转换成3d nand后，选用浮闸是一个错误决定，因而闹翻。
值得注意的是，两家公司仍会继续共同研发 3d xpoint 存储器，此一技术被誉为打破摩尔定律的革命技术。英特尔强调，双方都认为，独立之后，将能抽出更多精力优化自身产品、服务客户，且不会对路线图和技术节点造成影响。英特尔称，他们仍旧会在犹他州的lehi工厂联合研发制造。
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值得注意的是，两家公司仍会继续共同研发 3d xpoint 存储器，此一技术被誉为打破摩尔定律的革命技术。英特尔强调，双方都认为，独立之后，将能抽出更多精力优化自身产品、服务客户，且不会对路线图和技术节点造成影响。英特尔称，他们仍旧会在犹他州的lehi工厂联合研发制造。
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